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標(biāo)題: 飛凌的S3C6410開(kāi)發(fā)板有兩種NandFlash怎么選擇？ [打印本頁(yè)]

作者: yh123 時(shí)間: 2010-7-17 13:12
標(biāo)題: 飛凌的S3C6410開(kāi)發(fā)板有兩種NandFlash怎么選擇？
飛凌的一款S3C6410有兩個(gè)不同的FLASH板型。一個(gè)是256M 的SLC NAND,另一個(gè)是1G的MLC NAND了。在網(wǎng)
上看說(shuō)SLC的速度快，但MLC是當(dāng)今最主流的閃存技術(shù)。到底選哪個(gè)好呢？?jī)r(jià)格是一樣的。先學(xué)習(xí)，然后
做開(kāi)發(fā)，請(qǐng)懂的朋友幫幫忙，謝謝。
OK6410的說(shuō)明： www.witech.com.cn

作者: yanhong 時(shí)間: 2010-7-17 14:02
SLC和MLC的價(jià)格差很多，比如256M的SLC nand價(jià)格就和1G的MLC nand一樣。MLC優(yōu)勢(shì)確實(shí)正在日益凸顯，很快就會(huì)成為閃存的主力。至于說(shuō)它存儲(chǔ)慢、安全性低，這個(gè)都是很久以前的事情了，隨著各大芯片生產(chǎn)商對(duì)它的完善，現(xiàn)在MLC技術(shù)已經(jīng)比較成熟，這些問(wèn)題也就模糊了。

總之，建議你還是選擇1GMLC的NAND，一是學(xué)習(xí)過(guò)程中它的驅(qū)動(dòng)架構(gòu)值得了解，再就是使用上1G比256M的爽很多。貌似現(xiàn)在低價(jià)位開(kāi)發(fā)板中只有飛凌在用1G的NAND。

以下文字可供參考：

http://tech.sina.com.cn/digi/2007-01-11/0545214265.shtml
Flash閃存是非易失性存儲(chǔ)器，這是相對(duì)于SDRAM等存儲(chǔ)器所說(shuō)的。即存儲(chǔ)器斷電后，內(nèi)部的數(shù)據(jù)仍然可以保存。Flash根據(jù)技術(shù)方式分為Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而U盤和MP3中最常用的內(nèi)存就是Nand Flash。

Nand Flash也有幾種，根據(jù)技術(shù)方式，分為SLC、MCL、MirrorBit等三種。SLC是Single level cell的縮寫，意為每個(gè)存儲(chǔ)單元中只有1bit數(shù)據(jù)。而MLC就是Multi-Level-Cell，意為該技術(shù)允許2 bit的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)單元當(dāng)中。而MirrorBit則是每個(gè)存儲(chǔ)單元中只有4bit數(shù)據(jù)。
SLC的技術(shù)存儲(chǔ)比較穩(wěn)定，SLC的技術(shù)也最為成熟。然而MLC可以在一個(gè)單元中有2bit數(shù)據(jù)，這樣同樣大小的晶圓就可以存放更多的數(shù)據(jù)，也就是成本相同的情況下，容量可以做的更大，這也是同樣容量，MLC價(jià)格比SLC低很多的原因。通常情況下相同容量的MLC和SLC，MLC的價(jià)格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。

區(qū)分SLC(停產(chǎn))和MLC（現(xiàn)在主流，分新老制程，60NM 和56/50NM ）

1、看Flash的型號(hào)：根據(jù)Flash的命名規(guī)則，進(jìn)行區(qū)分。

2、測(cè)試讀寫速度：SLC的非�？�，MLC的很慢。

SLC閃存：即單層式儲(chǔ)存 (Single Level Cell；SLC)，包括三星電子、Hynix、美光（Micron）以及東芝都是此技術(shù)使用者

MLC閃存：多層式儲(chǔ)存（Multi Level Cell；MLC)，目前有東芝、Renesas、三星使用，英飛凌（Infineon）與Saifun Semiconductors合資利用NROM技術(shù)所共同開(kāi)發(fā)的多位儲(chǔ)存（Multi Bit Cell；MBC）。

除了三星，Hynix等其他存儲(chǔ)器制造商也在向MLC閃存邁進(jìn)。雖然東芝憑借多年的技術(shù)積累而在MLC技術(shù)上占據(jù)優(yōu)勢(shì)，但英特爾與美光科技的合資企業(yè)IM Flash也有能力結(jié)合英特爾MLC技術(shù)與美光的NAND閃存，從而在MLC型NAND閃存領(lǐng)域迅猛發(fā)展。

MLC閃存技術(shù)并非沒(méi)有不足，實(shí)際上，在采用先進(jìn)工藝生產(chǎn)MLC閃存方面困難重重。隨著閃存技術(shù)的演進(jìn)，在浮動(dòng)?xùn)?floating gate)中存儲(chǔ)的電荷總量減少了，使得檢測(cè)存儲(chǔ)的信息變得更加困難，尤其是對(duì)MLC芯片而言，它需要識(shí)別四個(gè)電壓值，而非兩個(gè)。盡管如此，據(jù)報(bào)道，東芝在70nm工藝中能夠保證采用與90nm技術(shù)相同的代碼糾錯(cuò)方案。這顯示該公司并沒(méi)有放慢MLC技術(shù)縮放的步伐，最少是就現(xiàn)在而言。

對(duì)于我們消費(fèi)者而言，最關(guān)心的就是產(chǎn)品的質(zhì)量問(wèn)題，因此，網(wǎng)上流傳很多說(shuō)法，好像只有使用SLC閃存的產(chǎn)品才是質(zhì)量好的產(chǎn)品，其實(shí)不盡然，產(chǎn)品的質(zhì)量好壞第一個(gè)關(guān)節(jié)是采用的物料的好壞，第二個(gè)關(guān)節(jié)是廠家是否在生產(chǎn)過(guò)程中偷工減料。這兩者都是很重要的。再其次，就是產(chǎn)品的成熟程度，一般剛推出來(lái)的產(chǎn)品一般都會(huì)存在一些不為人知的問(wèn)題，只能靠以后的不斷改進(jìn)才能使產(chǎn)品日趨完善

隨著MP3、MP4控制芯片的更新?lián)Q代和軟件控制技術(shù)的更新，克服了很多難關(guān)，目前對(duì)于MLC閃存芯片的架駑能力已經(jīng)很成熟了，再加上MLC閃存生產(chǎn)技術(shù)的改進(jìn)，因此目前很多廠家（包括IPOD）都采用MLC閃存用于消費(fèi)類數(shù)碼產(chǎn)品的生產(chǎn)，尤其是大容量的數(shù)碼產(chǎn)品，非它不可！

作者: godey325 時(shí)間: 2010-7-20 22:06
現(xiàn)在都開(kāi)始使用S3C6410 ARM11的芯片了，看來(lái)落伍了。

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