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標(biāo)題: 詳細(xì)了解emmc芯片，movinand,Nand flash [打印本頁]

作者: zxcv_jun 時間: 2011-3-8 08:38
標(biāo)題: 詳細(xì)了解emmc芯片，movinand,Nand flash
一產(chǎn)品特點：
※ 支持熱拔插，可直接插讀卡器與電腦連接測試。
※ 同時兼容：東芝、三星、海力士、Intel 、Sandisk(新帝) 等所有同樣封裝的4BIT 、8BIT eMMC 閃存記憶體。如圖示 (只需相應(yīng)PIN腳定義一樣　)；
※ 同時兼容 169-FBGA 153-FBGA ,不同尺寸IC(11.5x13,12x16,12x18,14x18mm),可自行更換限位框?qū)崿F(xiàn)通用性降低使用成本。
※ 采用日本進(jìn)口雙頭探針，性能穩(wěn)定使用壽命長，使用壽命是同類產(chǎn)品的10倍以上；
※ 維護(hù)方便，不良探針可更換，重復(fù)利用率較高，降低使用成本。
※ 兼容有球無球測試，通用性好，降低使用成本。
※ 采用手動翻蓋式結(jié)構(gòu),操作方便簡單。
※ 采用浮板結(jié)構(gòu),定位精確,取放IC方便，工作效率更高。
※ 可進(jìn)行測試和低級格式化。
二　測試
（1）選擇和IC尺寸相同的限位框按方向裝在浮板上(標(biāo)配限位框為 14X18，11.5X13 12X16 12X18 )　　　　　　　　　　　　（2）把IC按方向平放入限位框內(nèi),合上socket上蓋。
（3）選擇相對應(yīng)的電壓,本測試治具默認(rèn)電壓為3.3V，如果要求為1.8V請把跳帽到2～3位置，
（4）選擇和IC相應(yīng)的位數(shù),本測試治具默認(rèn)值位8BIT,如果是4BIT的,請把四位開關(guān)全部撥到OFF位置，
（5）把eMMC 夾具按方向插在讀卡器上，打開相應(yīng)的測試軟件進(jìn)行測試。
三、維修與保養(yǎng)
在使用本產(chǎn)品過程中如發(fā)現(xiàn)測試性能不穩(wěn)定，建議用以下方法解決：
a) 用手按下浮板使探針露出,用防靜電刷輕刷幾遍，去除雜質(zhì),使其接觸良好;
b) 用手按下浮板使探針露出,檢查探針是否有歪和斷頭現(xiàn)象,如有此現(xiàn)象請按圖示把相應(yīng)不良探針更換。
c) 如發(fā)現(xiàn)有大面積接觸不良，請與我們聯(lián)系。
d) 嚴(yán)禁用天那水、有機(jī)溶劑，浸泡、清洗。
e) 長時間不使用時，請用防靜電袋密封保存，避免灰塵落入，影響產(chǎn)品測試性能。
四、技術(shù)支持
對于eMMC夾具，我們提供了全方位的技術(shù)服務(wù)，您有任何問題請及時與我們?nèi)〉寐?lián)系,我們以最快的速度給予技術(shù)支援。
針對eMMC閃存記憶體，我們推出了另外兩種增值服務(wù)：
A、 eMMC閃存記憶體再利用：比如說eMMC IC主控?fù)p壞，通過我們公司的”基于Ｕ盤測試夾具”測試后可以將閃存部分沒有損壞的eMMC　IC用作Ｕ盤FLASH；
B、我們最近推出一拖四、一拖八NAND Flash燒錄器，可以實現(xiàn)eMMC閃存記憶體的燒錄；為客戶提供了一種快速燒錄的新選擇；
相關(guān)術(shù)語： 1、MoviNAND： MoviNAND是三星公司開發(fā)的一款符合eMMC標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)嵌式存儲器（MoviNAND = High-density MLC NAND Flash & MMC controller）；是一種高容量NAND快閃記憶體解決方案；這種高密度嵌入式閃存卡采用了先進(jìn)的30nm工藝，適用于高端手機(jī)和其他移動消費(fèi)電子設(shè)備。MoviNAND已被世界半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)（JEDEC）和多媒體卡協(xié)會（MMCA）列入產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)方案（eMMC）； 2、eMMC: eMMC為MMC協(xié)會所訂立的內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，主要是針對手機(jī)產(chǎn)品為主；eMMC結(jié)構(gòu)由一個嵌入式存儲解決方案組成，帶有MMC（多媒體卡）接口、快閃存儲器設(shè)備及主控制器——所有在一個小型的BGA封裝。接口速度高達(dá)每秒52MB，eMMC具有快速、可升級的性能。同時其接口電壓可以是1.8v或者是3.3v。eMMC內(nèi)嵌式存儲器，三星公司叫“MoviNAND”，而Sandisk的才叫iNAND 但原理都是一樣的都是采用MMC接口，都是按eMMC的標(biāo)準(zhǔn)的，只是每個廠家的叫法不一樣； 3、MLC： NAND閃存可分為三大架構(gòu)，分別是單層式儲存（Single Level Cell），即SLC；多層式儲存（Multi Level Cell），即MLC；多位式存儲（Multi Bit Cell），即MBC。MLC實現(xiàn)了一個Cell存放多個bit，是英特爾（INTEL）在1997年9月最先研發(fā)成功的，現(xiàn)在常見的MLC架構(gòu)閃存每Cell可存放2bit，容量是同等SLC架構(gòu)芯片的2倍，目前三星、東芝、海力士（Hynix）、IMFT(英特爾與美光合資公司)、瑞薩（Renesas）都是此技術(shù)的使用者，其發(fā)展速度遠(yuǎn)快于SLC架構(gòu)。

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作者: youyou_zh 時間: 2011-3-18 19:21
受用了

作者: naturepeter 時間: 2011-4-15 04:02
說穿了還是ＭＭＣ　只是ＭＭＣ4.3 spec 以後改了封裝換名為eMMC
我想只要是記憶卡改個封裝一樣可以當(dāng)內(nèi)嵌式記憶體吧！
我印象中有些手機(jī)平臺似乎就是這樣使用

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