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標題: （元器件）MT25QU128ABA1ESE-0SIT，MT25QU01GBBB8ESF-0AAT，STM32G031J6M6，STM32G031F6P6（供求） [打印本頁]

作者: Mingjiada 時間: 2023-7-13 10:41
標題: （元器件）MT25QU128ABA1ESE-0SIT，MT25QU01GBBB8ESF-0AAT，STM32G031J6M6，STM32G031F6P6（供求）
一、MT25QU128ABA1ESE-0SIT：FLASH - NOR 存儲器 IC 128Mbit SPI 133 MHz
存儲器類型：非易失
存儲器格式：閃存
技術：FLASH - NOR
存儲容量：128Mbit
存儲器組織：16M x 8
存儲器接口：SPI
時鐘頻率：133 MHz
寫周期時間 - 字，頁：8ms, 2.8ms
電壓 - 供電：1.7V ~ 2V
工作溫度：-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-SOIC (0.209", 5.30mm 寬)

二、MT25QU01GBBB8ESF-0AAT：FLASH - NOR 存儲器 IC 1Gb（128M x 8） SPI 133 MHz
存儲器類型非易失
存儲器格式閃存
技術 FLASH - NOR
存儲容量 1Gb（128M x 8）
存儲器接口 SPI
時鐘頻率 133 MHz
寫周期時間 - 字，頁 8ms，2.8ms
電壓 - 供電 1.7V ~ 2V
工作溫度 -40°C ~ 105°C（TA）
安裝類型表面貼裝型
封裝/外殼 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）

三、STM32G031J6M6：微控制器IC 32位單核64MHz 32KB (32K x 8) 閃存
型號：STM32G031J6M6
封裝：8-SOIC
類型：嵌入式 - 微控制器
內核：Arm® 32位Cortex®-M0+ CPU，頻率高達64 MHz。
高達64KB的Flash存儲器，帶有保護和安全區域
8KB的SRAM，帶HW奇偶校驗
CRC計算單元
復位和電源管理
4至48兆赫晶體振蕩器
帶校準的32千赫晶體振蕩器
內部16MHz RC，帶PLL選項
電壓范圍： 1.7 V至3.6 V
低功耗模式：睡眠、停止、待機、關機
多達44個快速I/O
全部可映射到外部中斷向量上
多個5V耐受I/O
具有靈活映射的5通道DMA控制器

四、STM32G031F6P6：微控制器 IC 32 位單核 64MHz 32KB 閃存 20-TSSOP
核心處理器：ARM® Cortex®-M0+
內核規格：32 位單核
速度：64MHz
連接能力：I2C，IrDA，LINbus，SPI，SmartCard，UART/USART
外設：欠壓檢測/復位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT
I/O 數：18
程序存儲容量：32KB（32K x 8）
程序存儲器類型：閃存
RAM 大小：8K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：1.7V ~ 3.6V
數據轉換器：A/D 17x12b SAR
振蕩器類型：內部
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應商器件封裝：20-TSSOP

深圳市明佳達電子，星際金華長期（供應及回收）原裝庫存器件！
（元器件）MT25QU128ABA1ESE-0SIT，MT25QU01GBBB8ESF-0AAT，STM32G031J6M6，STM32G031F6P6（供求）
【供應】只做原裝，庫存器件，價格方面由于浮動不一，請以當天詢問為準！
【回收】只需原裝器件，須有原廠外包裝標簽，有庫存的朋友，歡迎隨時聯絡我們！

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