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標題: SI2305DS-T1-GE3-VB一款SOT23-3封裝 MOSFET參數(shù)應用解析 [打印本頁]

作者: VBsemi 時間: 2023-10-12 14:36
標題: SI2305DS-T1-GE3-VB一款SOT23-3封裝 MOSFET參數(shù)應用解析
SI2305DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P溝道MOSFET產(chǎn)品，絲印型號為VB2290；采用SOT23-3封裝。該產(chǎn)品的特性包括額定電壓為-20V，額定電流為-4A，RDS(ON)參數(shù)為57mΩ（在4.5V下）和83mΩ（在2.5V下），以及12Vgs(±V)的較高電壓限制和-0.81Vth的閾值電壓。

SI2305DS-T1-GE3適用于多個應用領(lǐng)域。在電子領(lǐng)域，它可用于電源管理、功率轉(zhuǎn)換、電機控制和電源開關(guān)等應用中。在工業(yè)領(lǐng)域，它可以用于自動化設(shè)備、控制系統(tǒng)和驅(qū)動器。在汽車領(lǐng)域，它可用于電動車輛、照明和電動窗控制等應用中。

對于需要使用SI2305DS-T1-GE3的模塊，可以根據(jù)其性能特點選擇適當?shù)哪K。其中，電源管理模塊、功率轉(zhuǎn)換模塊和電源開關(guān)模塊是常見的使用SI2305DS-T1-GE3的模塊。此外，電機控制模塊和驅(qū)動器模塊也可能需要使用該產(chǎn)品。根據(jù)具體應用需求，選擇適當?shù)哪K是使用SI2305DS-T1-GE3的關(guān)鍵。

VB2290.png (120.36 KB)

SI2305DS-T1-GE3 MOSFET Datasheet.pdf

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