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標題: SI2308BDS-T1-GE3-VB一款SOT23-3封裝MOSFET參數應用解析 [打印本頁]

作者: VBsemi 時間: 2023-10-13 14:40
標題: SI2308BDS-T1-GE3-VB一款SOT23-3封裝MOSFET參數應用解析
SI2308BDS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET產品，采用SOT23-3封裝。其特性包括額定電壓為60V，額定電流為4A，RDS(ON)參數為85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），以及20Vgs(±V)的電壓限制和1~3Vth的閾值電壓范圍。

SI2308BDS-T1-GE3適用于多個應用領域。在電源管理、功率轉換、驅動電路和開關電路等領域中，它可以實現電流控制和功率轉換。此外，在汽車電子、消費電子和通信設備等領域，它也有潛在的應用。

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SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET Datasheet.pdf

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