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標題: SI2312CDS-T1-GE3-VB一款SOT23-3封裝 MOSFET參數應用解析 [打印本頁]

作者: VBsemi 時間: 2023-10-13 14:50
標題: SI2312CDS-T1-GE3-VB一款SOT23-3封裝 MOSFET參數應用解析
SI2312CDS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET產品，采用SOT23-3封裝。其特性包括額定電壓為20V，額定電流為6A，RDS(ON)參數為24mΩ（在4.5V下）和33mΩ（在2.5V下），以及8Vgs(±V)的電壓限制和0.45~1Vth的閾值電壓范圍。

SI2312CDS-T1-GE3廣泛適用于多個應用領域。在電子領域，它可用于電源管理、功率轉換、電機驅動和開關電路等應用。在汽車領域，它可以用于汽車電子控制單元（ECU）、車身電子系統和照明系統等應用中。此外，它還適用于工業自動化、通信設備和消費電子等領域。

對于需要使用SI2312CDS-T1-GE3的模塊，可以根據其性能特點選擇適當的模塊。電源管理模塊、功率轉換模塊和電機驅動模塊是常見的使用該產品的模塊。此外，開關電路和信號放大模塊也可能需要使用該產品。根據具體應用需求，選擇適當的模塊是使用SI2312CDS-T1-GE3的關鍵。

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SI2312CDS-T1-GE3 MOSFET Datasheet.pdf

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