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標題: FDMC8026S-VB_DFN8(3X3)封裝MOSFET產(chǎn)品應用與參數(shù)解析 [打印本頁]

作者: VBsemi 時間: 2023-11-11 14:27
標題: FDMC8026S-VB_DFN8(3X3)封裝MOSFET產(chǎn)品應用與參數(shù)解析
FDMC8026S VBQF1310
參數(shù)描述：
參數(shù)：N—channel,30V,40A,RDS(ON),11mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；
型號參數(shù)介紹：
"FDMC8026S（VBQF1310）是一款電源應用型MOSFET產(chǎn)品，采用N溝道結(jié)構(gòu)，封裝為DFN8（3X3封裝）。其參數(shù)包括：工作電壓30V、最大電流40A、靜態(tài)導通電阻RDS(ON)為11mΩ@10V和16mΩ@4.5V、門源極電壓20Vgs（±V）、閾值電壓2.3Vth（V）。

應用領(lǐng)域：
該產(chǎn)品廣泛應用于多個領(lǐng)域，包括但不限于以下幾個方面：

電源供應模塊： FDMC8026S適用于電源供應模塊，能夠有效地管理和控制電流，為各種設備提供穩(wěn)定的電力支持。

電機驅(qū)動：該MOSFET適用于驅(qū)動電機和執(zhí)行器，提供高效的電流控制，從而實現(xiàn)精確的運動控制。

LED照明：在LED照明應用中，F(xiàn)DMC8026S可以作為開關(guān)裝置，幫助調(diào)節(jié)和控制LED燈的亮度和穩(wěn)定性。

應用差異與優(yōu)劣性：
在不同應用領(lǐng)域中，F(xiàn)DMC8026S具有以下優(yōu)勢和特點：

電源應用中的優(yōu)勢：在電源應用中，F(xiàn)DMC8026S具有低靜態(tài)導通電阻，能夠降低電源模塊的熱耗，提高整體效率。

電機驅(qū)動中的優(yōu)勢：在電機驅(qū)動中，該MOSFET的高電流能力和低導通電阻有助于實現(xiàn)高效的電機控制，減少能量損耗。

LED照明中的優(yōu)勢：在LED照明領(lǐng)域，F(xiàn)DMC8026S的高穩(wěn)定性和精確的電流控制能力有助于提供均衡的照明效果。"

VBQF1310.png (195.8 KB)

FDMC8026S.pdf

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