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標(biāo)題: IRFI540GPBF-VB_TO220F封裝MOSFET產(chǎn)品應(yīng)用與參數(shù)解析 [打印本頁]

作者: VBsemi 時(shí)間: 2023-11-14 15:25
標(biāo)題: IRFI540GPBF-VB_TO220F封裝MOSFET產(chǎn)品應(yīng)用與參數(shù)解析
IRFI540GPBF （VBMB1104N）
參數(shù)描述：
N溝道,100V,50A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2~4Vth(V)；TO220F
型號(hào)參數(shù)介紹：
IRFI540GPBF (VBMB1104N)參數(shù)說明：N溝道，100V，50A，導(dǎo)通電阻40mΩ@10V，48mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓2~4V，封裝：TO220F。
應(yīng)用簡(jiǎn)介：IRFI540GPBF是一款高功率N溝道MOSFET，適用于高電流和高功率需求的場(chǎng)景，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器和電源開關(guān)等領(lǐng)域模塊。

VBMB1104N.png (53.18 KB)

IRFI540GPBF.pdf

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