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標題: 器件：5CEBA4F17I7N，5M160ZM100C5N，AUIRF5210STRL，SCTWA90N65G2V（規格信息） [打印本頁]

作者: Mingjiada 時間: 2023-11-22 10:43
標題: 器件：5CEBA4F17I7N，5M160ZM100C5N，AUIRF5210STRL，SCTWA90N65G2V（規格信息）
元器件：5CEBA4F17I7N，5M160ZM100C5N，AUIRF5210STRL，SCTWA90N65G2V（明佳達電子，星際金華供應及回收原裝庫存器件）
【供應】只做原裝，庫存器件，價格方面由于浮動不一，請以當天詢問為準！
【回收】只需原裝器件，須有原廠外包裝標簽，有庫存的朋友，歡迎隨時聯絡我們！

5CEBA4F17I7N：嵌入式 - FPGA（現場可編程門陣列）
LAB/CLB 數：18480
邏輯元件/單元數：49000
總 RAM 位數：3464192
I/O 數：128
電壓 - 供電：1.07V ~ 1.13V
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 100°C（TJ）
封裝/外殼：256-LBGA
供應商器件封裝256-FBGA（17x17）

5M160ZM100C5N：嵌入式 - CPLD（復雜可編程邏輯器件）
可編程類型：系統內可編程
延遲時間 tpd(1) 最大值：7.5 ns
供電電壓 - 內部：1.71V ~ 1.89V
邏輯元件/塊數：160
宏單元數：128
I/O 數：79
工作溫度：0°C ~ 85°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：100-TFBGA
供應商器件封裝：100-MBGA（6x6）

AUIRF5210STRL：表面貼裝型 P通道晶體管 100 V 38A
FET 類型：P 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：100 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：38A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：60 毫歐 @ 38A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：230 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2780 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），170W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：D2PAK
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

SCTWA90N65G2V：通孔 N通道晶體管 650V 119A（Tc） 565W（Tc） TO-247 長引線
FET 類型：N 通道
技術：SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）：650 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：119A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：24 毫歐 @ 50A，18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：157 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3380 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：565W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：TO-247 長引線

深圳市明佳達電子（星際金華）供求原裝庫存器件 5CEBA4F17I7N，5M160ZM100C5N，AUIRF5210STRL，SCTWA90N65G2V，有興趣的朋友，歡迎隨時聯絡我們！

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