国产毛片a精品毛-国产毛片黄片-国产毛片久久国产-国产毛片久久精品-青娱乐极品在线-青娱乐精品

電子工程網

標題: SI2305CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應用分析 [打印本頁]

作者: VBsemi 時間: 2023-11-23 17:34
標題: SI2305CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應用分析
SI2305CDS-T1-GE3 (VB2290)參數(shù)說明：P溝道，-20V，-4A，導通電阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，閾值電壓-0.81V，封裝：SOT23。
應用簡介：SI2305CDS-T1-GE3適用于低功率開關和電流控制等領域。
其低導通電阻和小封裝使其在緊湊場景中表現(xiàn)出色。
適用領域與模塊：適用于低功率開關、電流控制和模擬開關等領域模塊，特別適合緊湊型應用的場景。

VB2290.png (120.36 KB)

SI2305CDS-T1-GE3.pdf

289.99 KB, 下載積分: 積分 -1

歡迎光臨電子工程網 (http://www.qingdxww.cn/)