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標題: SI2309CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應用分析 [打印本頁]

作者: VBsemi    時間: 2023-11-23 17:39
標題: SI2309CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應用分析
SI2309CDS-T1-GE3 (VB2658)參數說明:P溝道,-60V,-5.2A,導通電阻40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V),閾值電壓-2V,封裝:SOT23。
應用簡介:SI2309CDS-T1-GE3適用于低功率開關和電流控制等領域。
其低導通電阻和小封裝使其在緊湊場景中表現出色。
適用領域與模塊:適用于低功率開關、電流控制和模擬開關等領域模塊,特別適合緊湊型應用的場景。


VB2658.png (64.26 KB)

VB2658.png

SI2309CDS-T1-GE3.pdf

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