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抗干擾過EMI認證原理-升壓恒流芯片FP7209M攝影燈車燈太陽能應用
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作者:
amyqing
時間:
2024-11-8 11:08
標題:
抗干擾過EMI認證原理-升壓恒流芯片FP7209M攝影燈車燈太陽能應用
1大電流路徑走線要粗,鋪銅走線最佳。
2開關切換連接點 L1、Q2 的 Drain 與 D1,走線要短與粗,鋪銅走線最佳。
3 輸入電容 C6 靠近 HVDD 與 GND Pin,達到穩壓與濾波功效。
4 取樣電阻 Rs 靠近 FB 與 GND Pin。 ¾ 電感電流檢測電阻 RCS 靠近 CS 與 GND Pin。 ¾ R11,R12 靠近 OVP 與 GND Pin。 ¾ FB Pin 遠離開關切換點 L1、Q2 的 Drain 與 D1,避免受到干擾。
5 輸入電容 C1,C2 的地、輸出電容 C7,C8 與 RCS的地,鋪銅走線,上下層地多打洞連接。
6 輸出電容 C7,C8 的地一定要靠近 RCS的地,可以降低開關切換突波,降低輸出高頻噪聲。
7 板子多余空間建議鋪地
EMI策略
R8 使用磁珠規格如下,C11=1nF 靠近 Q2 Gate 端,R9 與 C9 兩者靠近,且要靠近 Q2 的 Drain與 Source 端;R10 與 C10 兩者靠近,且要靠近 D1,輸出電容 C8 的地一定要靠近 Rcs 的地。
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