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標題: ISL6617AFRZ相位倍增器/MSC025SMA120B4，MSC040SMA120B碳化硅晶體管 [打印本頁]

作者: xingjijinhua 時間: 2024-11-18 10:51
標題: ISL6617AFRZ相位倍增器/MSC025SMA120B4，MSC040SMA120B碳化硅晶體管
明佳達，星際金華供求 ISL6617AFRZ相位倍增器/MSC025SMA120B4，MSC040SMA120B碳化硅晶體管

ISL6617AFRZ 6mA PWM 倍增器，帶輸出監控功能

產品描述
ISL6617AFRZ 相位倍增器采用單 PWM 輸入調制兩相電源組的方案。它將 3.3V 多相控制器可支持的相數增加了一倍。
ISL6617AFRZ 設計用于最大限度地減少高相數可擴展應用中控制器與驅動器之間接口的模擬信號數量。

特性
專有的相位倍增器方案
提高了輕載到滿載的效率
相數翻倍或翻兩番
通過 DCR 電流檢測和可調增益實現專利電流平衡
電流監控輸出 (IOUT)，可簡化系統接口和布局
用于模式選擇的三電平使能輸入
雙 PWM 輸出驅動，用于兩個具有單 PWM 輸入的同步整流橋
通道同步和兩個交錯選項
支持 3.3V PWM 輸入
支持 5V PWM 輸出
與 DCR 檢測或智能功率級檢測兼容
用于輸出級關斷的三態 PWM 輸入和輸出

應用
高電流、低電壓 DC/DC 轉換器
高頻、高效 VRM 和 VRD
高相位數和移相應用
3.3V PWM 輸入集成功率級或 DrMOS

N 溝道 1200 V 103A MSC025SMA120B4 MOSFET 碳化硅晶體管

產品描述
MSC025SMA120B4 器件是一款 1200 V、25 mΩ SiC MOSFET，采用 TO-247 4 引線封裝，具有源極檢測功能。

特點
低電容和低柵極電荷
低內部柵極電阻 (ESR) 帶來快速開關速度

MSC040SMA120B 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

產品描述
MSC040SMA120B 器件是一款采用 TO-247 封裝的 1200 V、40 mΩ 碳化硅 MOSFET。

優點
效率高，可實現更輕、更緊湊的系統
驅動簡單，易于并聯

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