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標(biāo)題: IMZA65R010M2H（IMZA65R026M2H）IMZA65R033M2H 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶體管 [打印本頁(yè)]

作者: Mingjiada 時(shí)間: 2024-12-3 11:55
標(biāo)題: IMZA65R010M2H（IMZA65R026M2H）IMZA65R033M2H 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶體管
【明佳達(dá)，星際金華供應(yīng)，回收】碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶體管：IMZA65R010M2H（IMZA65R026M2H）IMZA65R033M2H。
【供應(yīng)】只做原裝，庫(kù)存器件，價(jià)格方面由于浮動(dòng)不一，請(qǐng)以當(dāng)天詢問(wèn)為準(zhǔn)！
【回收】只需原裝庫(kù)存器件，須有原廠外包裝標(biāo)簽，有庫(kù)存的朋友，歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò)我們！

IMZA65R010M2H：650V，103A，10mΩ，CoolSiC™ MOSFET G2 晶體管，TO-247-4
型號(hào)：IMZA65R010M2H
封裝：TO-247-4
類型：碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶體管
IMZA65R010M2H - 產(chǎn)品規(guī)格：
產(chǎn)品種類：碳化硅MOSFET
安裝風(fēng)格：通孔
封裝 / 箱體：TO-247-4
晶體管極性：N-通道
通道數(shù)量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：650V
Id-連續(xù)漏極電流：103A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：10mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：5.6V
Qg-柵極電荷：112 nC
最小工作溫度：- 55℃
最大工作溫度：+ 175℃
Pd-功率耗散：440W

IMZA65R026M2H：650V，64A，26mΩ，碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶體管，超低開(kāi)關(guān)損耗
型號(hào)：IMZA65R026M2H
封裝：TO-247-4
類型：碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶體管
IMZA65R026M2H - 產(chǎn)品規(guī)格：
產(chǎn)品種類：碳化硅MOSFET
安裝風(fēng)格：通孔
封裝 / 箱體：TO-247-4
晶體管極性：N-通道
通道數(shù)量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：650V
Id-連續(xù)漏極電流：64A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：26mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 10V, + 25V
Vgs th-柵源極閾值電壓：5.6V
Qg-柵極電荷：42nC
最小工作溫度：- 55℃
最大工作溫度：+ 175℃
Pd-功率耗散：227W

IMZA65R033M2H：650V，103A，33mΩ，碳化硅 CoolSiC™ MOSFET G2 晶體管，TO-247-4
型號(hào)：IMZA65R033M2H
封裝：TO-247-4
類型：碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶體管
IMZA65R033M2H - 產(chǎn)品規(guī)格：
產(chǎn)品種類：碳化硅MOSFET
安裝風(fēng)格：通孔
封裝 / 箱體：TO-247-4
晶體管極性：N-通道
通道數(shù)量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：650V
Id-連續(xù)漏極電流：103A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：33mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：5.6V
Qg-柵極電荷：34nC
最小工作溫度：- 55℃
最大工作溫度：+ 175℃
Pd-功率耗散：194W

【供求】碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶體管：IMZA65R010M2H（IMZA65R026M2H）IMZA65R033M2H，明佳達(dá)電子，星際金華長(zhǎng)期供應(yīng)及回收原裝庫(kù)存器件，有興趣的朋友，歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò)我們！

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