據(jù)韓國媒體ZDNet Korea 2月24日報道稱，三星電子近期已與中國存儲芯片廠商簽署了開發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術的專利許可協(xié)議，以便從其第10代（V10）NAND Flash產品（430層）開始使用該專利技術來進行制造。
除了三星，ZDNET Korea還強調，韓國另一大存儲芯片巨頭SK海力士的下一代NAND閃存芯片的核心專利，也需要依賴中國，預計SK海力士也將與中國存儲芯片廠商簽署專利協(xié)議。
業(yè)內人士指出，目前掌握3D NAND混合鍵合關鍵專利的公司主要來自美國和中國，而三星、SK海力士等韓國半導體企業(yè)幾乎無法繞開中國半導體企業(yè)的專利布局。
與此同時，市場研究公司Gartner的最新數(shù)據(jù)顯示，三星電子正面臨DRAM和NAND閃存盈利能力下滑的困境，業(yè)績表現(xiàn)欠佳。多重因素疊加，使得三星不得不正視自身在專利方面的局限性，并與中國半導體企業(yè)達成合作，以提升其存儲板塊的競爭力。
隨著中國半導體企業(yè)的崛起，韓國多家半導體企業(yè)已經在專利布局上落入下風。集微咨詢發(fā)布的《2024年中國大陸半導體制造企業(yè)專利實力榜單》顯示，中芯國際、長鑫存儲、長江存儲、華虹宏力等企業(yè)名列前茅。在國際視野榜單中，長鑫存儲和長江存儲分別位列第一、第二位，其多元專利布局體現(xiàn)出積極參與國際行業(yè)進步的戰(zhàn)略眼光。
知識產權法律公司Mathys&squire的最新報告也顯示，2023-2024年中國專利申請數(shù)量猛增42%，從32840件增至46591件，同比增長42%，在所有地區(qū)中增長最為強勁，超過包括韓國在內的其他地區(qū)。這表明中國半導體行業(yè)在中美技術競爭的背景下展現(xiàn)出強大韌性。
面對增長困境，韓國半導體行業(yè)也在反思。據(jù)韓聯(lián)社23日報道，韓國科技評估與規(guī)劃研究院（KISTEP）發(fā)布的一份調查顯示，韓國在大多數(shù)半導體技術領域已被中國趕超。例如，在高集成度、低阻抗存儲技術方面，韓國得分為90.9%，低于中國的94.1%；在高性能、低功耗AI半導體領域，韓國得分為84.1%，落后于中國的88.3%。此外，在功率半導體和新一代高性能傳感技術方面，韓國也均落后于中國。
與此同時，韓國半導體行業(yè)的“最后防線”——HBM板塊也面臨來自中美的壓力。美光目前已向英偉達的AI芯片供應8層HBM3E芯片，盡管其市場份額仍遠低于12層HBM3E芯片的領導者SK海力士，但領先于三星電子的HBM產品和市場進度。近日還有消息指出，美光即將開始量產其12層堆棧的HBM，并將其供應給英偉達。然而，美光在趕超了三星電子之后，如今還正努力在今年晚些時候幾乎與SK海力士同步量產16層HBM3E。
值得注意的是，3月6日美光突然宣布關鍵人事任命，其中臺積電前董事長劉德音加入董事會備受關注。業(yè)內人士分析，劉德音豐厚的履歷能夠在芯片制造、海外建廠、AI技術與市場判斷等方面給予美光強援。近兩年面對激烈的市場競爭和復雜環(huán)境，美光頹勢不斷顯現(xiàn)，不僅在先進制程上與臺積電等差距不斷拉大，更是在印度、墨西哥等地海外建廠上面臨地緣政治的風險，劉德音在技術革新與風控方面是業(yè)內的頂尖專家，然而在美光如此內外交困的背景下加盟能否力挽狂瀾，仍有待時間的檢驗。
國內方面，專家指出，中國Deepseek的出現(xiàn)也將對韓國HBM產業(yè)構成重大沖擊。Deepseek證明，AI模型可以在較低規(guī)格的HBM支持下實現(xiàn)高性能。如果越來越多的AI企業(yè)效仿Deepseek，采用低成本、低規(guī)格芯片來實現(xiàn)高性能AI模型，韓國高端HBM的市場需求將受到更嚴重的沖擊。中國企業(yè)盡管在HBM領域依然落后韓國企業(yè)，但正加速追趕，試圖在HBM等高附加值領域實現(xiàn)突破。此外，中國企業(yè)在AI芯片設計、封裝測試等領域的進步，也為HBM的國產化奠定了基礎。
韓國半導體企業(yè)在復雜的局勢下，正面臨著技術趕超和市場競爭力上的雙重壓力。而這對于中國半導體行業(yè)而言是一個重大的機遇，盡管美國政府在半導體領域施加了全方位的壓力，但憑借自身的技術積累和突破，中國企業(yè)或將能捕捉更多機會。
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