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永源微AP6G03S、30V/N+P溝道MOSFET
永源微AP6G03S、30V/N+P溝道MOSFET
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ysp1
發布時間:
2023-9-28 09:30
正文摘要:
描述: AP6G03S采用先進的溝道技術,提供出色的 RDS(ON)、低柵極電荷和低至4.5V的柵極電壓, 適合用作 電池保護或其它開關應用。 一般特征: VDS=30伏內徑=10安 RDS(ON)
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