一、引言1.1 SiC材料在高壓電力電子領域的應用背景碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導體材料的代表,其物理特性(如3.3 eV的禁帶寬度、3.7×106 V/cm的臨界擊穿電場、高熱導率等)使其在高壓、高溫及高頻應用場景中 ...