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電子類公司筆試題精選(二、流程、工藝、版圖、器件)

發(fā)布時間:2009-4-11 07:22    發(fā)布者:老郭
關鍵詞: 筆試 , 電子 , 工藝 , 流程 , 器件
二、IC設計基礎(流程、工藝、版圖、器件)   
   
1、我們公司的產品是集成電路,請描述一下你對集成電路的認識,列舉一些與集成電路相關的內容(如講清楚模擬、數(shù)字、雙極型、CMOSMCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念)。(仕蘭微面試題目)

2、FPGA和ASIC的概念,他們的區(qū)別。(未知)   
   
答案:FPGA是可編程ASIC。   
   
ASIC:專用集成電路,它是面向專門用途的電路,專門為一個用戶設計和制造的。根據(jù)一個用戶的特定要求,能以低研制成本,短、交貨周期供貨的全定制,半定制集成電路。與門陣列等其它ASIC(Application SpecificIC)相比,它們又具有設計開發(fā)周期短、設計制造成本低、開發(fā)工具先進、標準產品無需測試、質量穩(wěn)定以及可實時在線檢驗等優(yōu)點
   
3、什么叫做OTP片、掩膜片,兩者的區(qū)別何在?(仕蘭微面試題目)   
   
4、你知道的集成電路設計的表達方式有哪幾種?(仕蘭微面試題目)   
   
5、描述你對集成電路設計流程的認識。(仕蘭微面試題目)   
   
6、簡述FPGA等可編程邏輯器件設計流程。(仕蘭微面試題目)   
   
7、IC設計前端到后端的流程和eda工具。(未知)   
   
8、從RTL synthesis到tape out之間的設計flow,并列出其中各步使用的tool.(未知)  
   
9、Asic的design flow。(威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題)   
   
10、寫出asic前期設計的流程和相應的工具。(威盛)   
   
11、集成電路前段設計流程,寫出相關的工具。(揚智電子筆試)   
   
先介紹下IC開發(fā)流程:   
   
1.)代碼輸入(design input)   
   
用vhdl或者是verilog語言來完成器件的功能描述,生成hdl代碼   
   
語言輸入工具:SUMMIT VISUALHDL   
   
MENTOR RENIOR   
   
圖形輸入: composer(cadence);   
   
viewlogic (viewdraw)   
   
2.)電路仿真(circuit simulation)   
   
將vhd代碼進行先前邏輯仿真,驗證功能描述是否正確   
   
數(shù)字電路仿真工具:   
   
Verolog: CADENCE Verolig-XL   
   
SYNOPSYS VCS   
   
MENTOR Modle-sim   
   
VHDL : CADENCE NC-vhdl   
   
SYNOPSYS VSS   
   
MENTOR Modle-sim   
   
模擬電路仿真工具:   
   
***ANTI HSpice pspice,spectre micro microwave: eesoft : hp   
   
3.)邏輯綜合(synthesis tools)   
   
邏輯綜合工具可以將設計思想vhd代碼轉化成對應一定工藝手段的門級電路;將初級仿真中所沒有考慮的門沿(gates delay)反標到生成的門級網(wǎng)表中,返回電路仿真階段進行再仿真。最終仿真結果生成的網(wǎng)表稱為物理網(wǎng)表。   
   
12、請簡述一下設計后端的整個流程?(仕蘭微面試題目)   
   
13、是否接觸過自動布局布線?請說出一兩種工具軟件。自動布局布線需要哪些基本元素?(仕蘭微面試題目)   
   
14、描述你對集成電路工藝的認識。(仕蘭微面試題目)   
   
15、列舉幾種集成電路典型工藝。工藝上常提到0.25,0.18指的是什么?(仕蘭微面試題目)   
   
16、請描述一下國內的工藝現(xiàn)狀。(仕蘭微面試題目)   
   
17、半導體工藝中,摻雜有哪幾種方式?(仕蘭微面試題目)   
   
18、描述CMOS電路中閂鎖效應產生的過程及最后的結果?(仕蘭微面試題目)   
   
19、解釋latch-up現(xiàn)象和Antenna effect和其預防措施.(未知)   
   
20、什么叫Latchup?(科廣試題)   
   
21、什么叫窄溝效應? (科廣試題)   
   
22、什么是NMOS、PMOS、CMOS?什么是增強型、耗盡型?什么是PNP、NPN?他們有什么差別?(仕蘭微面試題目)   
   
23、硅柵COMS工藝中N阱中做的是P管還是N管,N阱的阱電位的連接有什么要求?(仕蘭微面試題目)   
   
24、畫出CMOS晶體管的CROSS-OVER圖(應該是縱剖面圖),給出所有可能的傳輸特性和轉移特性。(Infineon筆試試題)   
   
25、以interver為例,寫出N阱CMOS的process流程,并畫出剖面圖。(科廣試題)   
   
26、Please explain how we describe the resistance in semiconductor. Compare the  
resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional CMOS process.(威盛筆試題circuit design-beijing-03.11.09)   
   
27、說明mos一半工作在什么區(qū)。(凹凸的題目和面試)   
   
28、畫p-bulk 的nmos截面圖。(凹凸的題目和面試)   
   
29、寫schematic note(?), 越多越好。(凹凸的題目和面試)   
   
30、寄生效應在ic設計中怎樣加以克服和利用。(未知)   
   
31、太底層的MOS管物理特性感覺一般不大會作為筆試面試題,因為全是微電子物理,公式推導太羅索,除非面試出題的是個老學究。IC設計的話需要熟悉的軟件: Cadence,Synopsys, Avant,UNIX當然也要大概會操作。   
   
32、unix 命令cp -r, rm,uname。(揚智電子筆試)
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