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EVG掃清3D-IC硅片通道大容量設(shè)備制造的主要障礙

發(fā)布時(shí)間:2014-8-29 11:20    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 3D IC , GEMINI , 半導(dǎo)體制造
GEMINI FB XT在晶圓鍵合領(lǐng)域突破國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖標(biāo)準(zhǔn),晶圓對(duì)晶圓排列效果提升可達(dá)三倍;同時(shí)強(qiáng)化生產(chǎn)能量,使產(chǎn)能增加50%

EVG集團(tuán)今日公布了新一代融化晶圓鍵合平臺(tái)GEMINI FB XT,該平臺(tái)匯集多項(xiàng)技術(shù)突破,令半導(dǎo)體行業(yè)向?qū)崿F(xiàn)3D-IC硅片通道高容量生產(chǎn)的目標(biāo)又邁進(jìn)了一步。新平臺(tái)晶圓對(duì)晶圓排列精度是過去標(biāo)準(zhǔn)平臺(tái)的三倍,生產(chǎn)能力更是比先前高出50%,此外GEMINI FB XT平臺(tái)還為半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用3D-IC及硅片通道技術(shù)掃清了幾大關(guān)鍵障礙,使半導(dǎo)體行業(yè)能夠在未來(lái)不斷提升設(shè)備密度,強(qiáng)化設(shè)備機(jī)能,同時(shí)又無(wú)需求助于越發(fā)昂貴復(fù)雜的光刻工藝技術(shù)。

晶圓對(duì)晶圓鍵合是激活諸如堆疊式內(nèi)存,邏輯記憶以及未來(lái)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像感應(yīng)器等3D裝置的一個(gè)關(guān)鍵步驟。與此同時(shí),是實(shí)現(xiàn)各鍵合晶圓之間電接觸點(diǎn)的硅片通道尺寸的最小化,降低3D裝置成本,支持更高水平裝置性能及帶寬,減少裝置耗電量的一個(gè)關(guān)鍵方面。然而,只有實(shí)現(xiàn)了各晶圓之間緊密排列和套準(zhǔn)精度,保證鍵合晶圓上互相連接的裝置維持高效電接觸,并且將鍵合面上的連接區(qū)域最小化,才能夠?qū)⒏嗟木A面積用于裝置生產(chǎn)。

對(duì)位精度是3D-IC融化鍵合的關(guān)鍵

根據(jù)2012年國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖顯示,應(yīng)用高密度硅片通道必須在2015年以前達(dá)到鍵合晶圓對(duì)位精度500納米(3西格瑪)。而要實(shí)現(xiàn)混合鍵合高產(chǎn)量,則需要更高的精度規(guī)格。 GEMINI FB XT平臺(tái)包含了EVG集團(tuán)新推出的SmartView NT2鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī),能夠大幅提升晶圓對(duì)晶圓對(duì)位精度至200納米以下(3西格瑪)。這意味著,同過去大量使用的SmartView NT平臺(tái)——即先前的行業(yè)晶圓對(duì)位精度基準(zhǔn)——相比,新平臺(tái)的晶圓對(duì)位精度將達(dá)到先前的三倍,突破最新的國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖標(biāo)準(zhǔn),為正在考慮在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中引入3D-IC及硅片通道技術(shù)的制造商清除一個(gè)關(guān)鍵障礙。一體化的計(jì)量模塊在預(yù)先鍵合后確定排列能夠使客戶在必要時(shí)迅速調(diào)整高容量生產(chǎn)加工的鍵和過程。

XT架構(gòu)平臺(tái)是EVG集團(tuán)在半導(dǎo)體行業(yè)廣泛使用的一款平臺(tái),相比之下,GEMINI FB XT則是為了實(shí)現(xiàn)超高能吞吐量及性能而專門優(yōu)化設(shè)計(jì)的。額外添加的預(yù)先和事后加工模組所具備的晶圓清潔、平面準(zhǔn)備、等粒子激活以及晶圓鍵合排列功能使得該平臺(tái)的吞吐量提高了50%。而除此之外,由于新平臺(tái)的晶圓排列更加緊密,IC制造商們得以將晶圓堆疊從半導(dǎo)體制造價(jià)值鏈的中后段加工推至最前端。而這又使得裝置制造商們能夠從晶圓層面為各自的產(chǎn)品添加更多功能,同時(shí),高水平的并行加工又能夠大幅度降低3D-IC及硅片通道的制造成本,真可謂是一舉多得。

“隨著EUV平板印刷技術(shù)不斷延期,3D-IC及硅片通道一體化已經(jīng)逐漸成為未來(lái)半導(dǎo)體裝置延續(xù)摩爾定律的最具潛力的方式之一。不過,要在新興的記憶邏輯應(yīng)用中融入3D-IC和硅片通道技術(shù),首先必須實(shí)現(xiàn)晶圓對(duì)晶圓緊密排列。”EVG集團(tuán)技術(shù)主管Paul Lindner如是說(shuō)道。“EVG集團(tuán)將繼續(xù)不斷改進(jìn)旗下的3D-IC及硅片通道應(yīng)用產(chǎn)品,以幫助客戶能盡早實(shí)現(xiàn)3D-IC技術(shù)的商業(yè)化,新一代的GEMINI FB XT平臺(tái)是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的一個(gè)重要里程碑,我們期待與客戶們一道努力,爭(zhēng)取最大的發(fā)揮出3D-IC高產(chǎn)量制造的潛力。”
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