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不久前臺(tái)積電公司公布自己轉(zhuǎn)向450mm技術(shù)后，巴克萊公司分析師 CJ Muse最近發(fā)表了其對(duì)450mm技術(shù)未來走向的新預(yù)測，他認(rèn)為450mm技術(shù)的大潮將在2018年以前來臨，不過在此之前各大芯片制造廠商會(huì)先完成其它 幾項(xiàng)重要的技術(shù)革新，主要是3DIC用TSV穿硅互聯(lián)技術(shù)以及EUV光刻技術(shù)。 當(dāng)初EUV的主推者，Intel，三星以及臺(tái)積電這三巨頭曾信誓旦旦稱要在2012年開始基于EUV光刻技術(shù)的試生產(chǎn)，不過由于光刻設(shè)備廠商開發(fā)進(jìn)度緩慢，加上又遭遇全球半導(dǎo)體市場不景氣的情況，三巨頭已經(jīng)很久沒有公布有關(guān)EUV技術(shù)方面的進(jìn)展了。不過最近Intel宣布新建的兩家芯片廠Fab D1X（俄勒岡）和Fab14（亞利桑那）都將支持450mm技術(shù)，而臺(tái)積電則公開宣稱將在2015-2016年開始量產(chǎn)基于450mm技術(shù)的芯片產(chǎn)品，引來業(yè)界一片“450mm又開始死灰復(fù)燃”的猜疑聲。不僅如此，過去對(duì)450mm技術(shù)十分抵觸的半導(dǎo)體制造用設(shè)備廠商也開始公開肯定450mm技術(shù) 雖然高端半導(dǎo)體廠商的資本投資力度正在逐漸加強(qiáng)，不過Muse認(rèn)為廠商會(huì)在轉(zhuǎn)向450mm之前首先完成其它技術(shù)的升級(jí)，升級(jí)的順序?qū)⑹荰SV穿硅互聯(lián)技術(shù)的升級(jí)在先，而后是將193nm液浸式光刻技術(shù)升級(jí)到EUV光刻技術(shù)（預(yù)計(jì)在20nm節(jié)點(diǎn)左右液浸式光刻便會(huì)無法滿足要求），最后才是300mm到450mm技術(shù)的升級(jí)，之所以將450mm放在最后，原因之一是450mm技術(shù)可以幫助芯片廠商降低制造成本，而且芯片制造商提高資本投資力度購買EUV/TSV用設(shè)備也可以令設(shè)備廠商的經(jīng)濟(jì)狀況更好，這樣才有余力研發(fā)450mm技術(shù)。 “這有點(diǎn)像先有雞還是先有蛋的問題，不過我們認(rèn)為芯片廠商會(huì)幫助設(shè)備廠商進(jìn)行設(shè)備研發(fā)，共同分享在目前的資本投資黃金期所獲得的高額資金注入。根據(jù)Muse的粗略估算，完成450mm技術(shù)升級(jí)大概會(huì)形成總值400億美元的設(shè)備市場，其中15%會(huì)被花在技術(shù)研發(fā)方面，當(dāng)然前提條件是芯片廠商愿意向450mm項(xiàng)目投資數(shù)十億美元。 最后，Muse對(duì)誰將從450mm的技術(shù)升級(jí)中獲益最大則無法下定論。增加晶圓的表面積意味著那些射束型生產(chǎn)設(shè)備（如光刻機(jī)，離子注入機(jī)，以及參數(shù)測試類工具等無法一次處理整個(gè)晶圓的設(shè)備）需要進(jìn)行改型，以保證在450mm晶圓上制作/測試芯片時(shí)的產(chǎn)品產(chǎn)出速度與300mm類似，這樣這類設(shè)備的生產(chǎn)商就需要增加資金投入。而真空處理設(shè)備類的廠家則不會(huì)過多受到轉(zhuǎn)向450mm技術(shù)的影響。 ”就像爭論頗多的EUV光刻技術(shù)一樣，450mm也是一個(gè)充滿歧見的技術(shù)。不過如果芯片廠商有決心同時(shí)又愿意進(jìn)行投資，那么450mm技術(shù)將很快成為主流�！� |
