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拆解三星PCM手機(jī):相變存儲(chǔ)器前景未知

發(fā)布時(shí)間:2011-5-10 10:52    發(fā)布者:李寬
關(guān)鍵詞: PCM , 拆解 , 相變存儲(chǔ)器
拆解與分析咨詢公司Chipworks最近為尋找PCM(相變存儲(chǔ)器)芯片拆解了一些三星GT-E2550 GSM手機(jī)。這些手機(jī)在美國(guó)購得,原本應(yīng)該銷往歐亞市場(chǎng)。

Chipworks公司的Rajest Krishnamurthy在其技術(shù)博客上說他們?cè)诓糠质謾C(jī)中發(fā)現(xiàn)了采用65納米工藝制程、多芯片封裝的512M PCM芯片。

PCM有潛力替代非易失性(Non-Volatile)閃存技術(shù),這些三星GSM手機(jī)所采用的三星產(chǎn)PCM芯片是該技術(shù)目前已知的唯一商品化應(yīng)用。由于閃存生產(chǎn)不斷擴(kuò)張,以及PCM缺少實(shí)際運(yùn)用,PCM的發(fā)展已經(jīng)遭到懷疑。

Chipworks 的博文中寫道:“幾部GT-E2550手機(jī)的主PCB板上有一塊多芯片封裝(MCP)的NOR閃存芯片,封裝標(biāo)示為K5N1229ACD。不過出乎我們意料的是,有些同品牌、同標(biāo)識(shí)手機(jī)的PCB板采用了PCM MCP芯片,單元封裝標(biāo)識(shí)為K571229ACM。而其它NOR閃存封裝標(biāo)示為K5N122ACD!

這一發(fā)現(xiàn)印證了UBM Techinsights于2010年12月發(fā)布的報(bào)告(參閱電子工程專輯報(bào)道:UBM最新拆解:神秘手機(jī)驚現(xiàn)PCM)。

現(xiàn)已被美光收購的Numonyx公司曾在2008年推出過一款90納米制程128M容量的PCM芯片。該產(chǎn)品在2010年4月加入Omneo并行、串行訪問存儲(chǔ)器產(chǎn)品線。但Numonyx從未宣布過任何設(shè)計(jì)選擇或量產(chǎn)消息。Numonyx也曾表示將要開發(fā)45納米工藝的1G PCM芯片,預(yù)計(jì)在2010年發(fā)布,但隨后沒有任何關(guān)于出樣或量產(chǎn)的消息。

Chipworks拆解了一些三星GT-E2550手機(jī),和預(yù)想的一樣,所有這些手機(jī)都有相同的主PCB板。部分GT-E2550手機(jī)的主PCB板上有一塊MCP封裝的NOR閃存芯片,封裝標(biāo)示為K5N1229ACD。但出乎意料的是部分同型號(hào)手機(jī)卻采用了MCP封裝的PCM存儲(chǔ)芯片,標(biāo)示為 K571229ACM,其它手機(jī)則采用K5N122ACD閃存芯片。


圖1.三星GT-E2550手機(jī)

圖2是來自兩部三星GT-E2550手機(jī)的主電路板照片,分別采用NOR閃存和PCM MCP芯片。圖中的NOR閃存和PCM MCP芯片都采用56球FBGA封裝,尺寸同為9.2 mm(長(zhǎng))x 8.2 mm(寬) x 1.1 mm(高)。56球也采用相同的結(jié)合方式置于底部。如圖3所示。


圖2.來自兩部三星GT-E2550手機(jī)的主電路板照片。上方采用NAND芯片,下方采用PCM芯片


圖3.K5N1229ACD NOR閃存封裝底部(左),K571229ACM PCM封裝底部(右)

圖4展示了K5N1229ACD NOR閃存與K571229ACM PCM芯片封裝的X光側(cè)視圖。圖片顯示出兩塊芯片朝向不同的方向。拆開之后我們發(fā)現(xiàn)PCM MCP芯片由一塊512M PCM裸片與一塊128M UTRAM(8Mx16)聯(lián)合封裝而成;而NOR MCP閃存則由一塊512M NOR閃存裸片與一塊256M(16Mx16)UTRAM聯(lián)合封裝而成。為什么NOR閃存需要的UTRAM容量?jī)杀队赑CM這個(gè)問題值得推測(cè)。512M PCM與NOR閃存的裸片面積均為相同的42.8 mm2。


圖4.PCM與NOR閃存封裝的X光側(cè)視圖

圖5和圖6分別是KPS1215EZA PCM和K8S1215EZC NOR閃存裸片的照片。

該P(yáng)CM裸片采用四層Al、65納米BiCMOS工藝制程加工而成;NOR閃存裸片采用兩層Al與單層Cu、65納米工藝加工而成。


圖5.KPS1215EZA PCM裸晶照片


圖6.K8S1215EZC NOR閃存裸晶照片

圖7和圖8分別展示了PCM裸片與NOR閃存裸片的SEM剖面圖。對(duì)比二者的存儲(chǔ)元件尺寸,PCM為0.026μm2,比NOR閃存的0.032μm2小19%。想必NOR閃存,PCM的結(jié)構(gòu)更接近NAND閃存,應(yīng)該便于未來擴(kuò)大生產(chǎn)。


圖7.KPS1215EZA PCM裸晶SEM剖面圖


圖8.K8S1215EZC NOR閃存裸晶的SEM剖面圖
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youyou_zh 發(fā)表于 2011-5-20 20:09:29
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