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MRAM因具有許多優(yōu)點(diǎn),有取代SRAM和DRAM的潛能。用MTJ存儲(chǔ)單元構(gòu)建的MRAM存儲(chǔ)器可以用作高速緩存。然而MRAM寫入操作的長(zhǎng)延時(shí)和較高的功耗成為其瓶頸，阻礙了其性能的進(jìn)一步提高。讀取優(yōu)先的寫緩存器和SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu)這兩種策略可以提高M(jìn)RAM的性能及降低其功耗。 讀取優(yōu)先和SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu) 直接用MRAM代替SRAM可能導(dǎo)致性能下降。因此提出了用兩種策略來(lái)緩解這個(gè)矛盾:一是引入讀取優(yōu)先的寫入緩沖器;二是引入SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu)。二者可以結(jié)合起來(lái)以改善MRAM高速緩存的性能。 讀取優(yōu)先的寫入緩沖器 因?yàn)長(zhǎng)2高速緩存從上一級(jí)存儲(chǔ)器和寫入緩沖器獲取命令，必須有一個(gè)優(yōu)先權(quán)策略來(lái)解決讀取和寫入命令的沖突。對(duì)于MRAM高速緩存,寫入延時(shí)遠(yuǎn)大于讀取延時(shí),因此應(yīng)防止寫入操作阻塞讀取操作。 提出兩條規(guī)則來(lái)確保讀取操作的優(yōu)先權(quán): (1)讀取操作總是具有高于寫入操作的優(yōu)先權(quán)。 (2)當(dāng)寫入操作阻塞了讀取操作且寫入緩沖器未滿,在滿足特定優(yōu)先條件下，讀取命令可以使當(dāng)前寫入操作中止。然后讀取命令獲得執(zhí)行權(quán)力。被中止的寫入操作稍后重試。用完成度α作為優(yōu)先條件,完成度低于α?xí)r讀取命令不會(huì)獲取優(yōu)先權(quán)。經(jīng)模擬定α為50%可以滿足各種工作條件。實(shí)現(xiàn)這一策略需要一個(gè)計(jì)數(shù)器,當(dāng)寫入開始時(shí)從O開始計(jì)數(shù)。高速緩存控制器檢查計(jì)數(shù)器然后決定是否中止當(dāng)前寫入操作來(lái)執(zhí)行讀取操作。與直接用MRAM取代SRAM的方案相比，這一策略消除了性能上的退步，但是功耗增加了,因?yàn)椴糠謱懭氩僮餍枰匦聢?zhí)行。 SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu)的L2高速緩存 研究者提出用SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu)取代純粹的MRAM存儲(chǔ)器,其中SRAM只占一小部分。其主要目的是盡量使寫入操作集中到SRAM而減少了MRAM中的寫入操作數(shù)量。 圖1SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu) 如圖1所示,研究者減少了部分MRAM,代之以sram ,并且將所有SRAM單元集中到一起在處理器層上構(gòu)建了若干個(gè)完整的SRAM組。SRAM組放置在處理器層的中央而不是分散放置，這樣處理器層的面積會(huì)增加而高速緩存層的面積會(huì)減少。 給出了幾個(gè)混合結(jié)構(gòu)的管理策略: (1)高速緩存控制器需要知道SRAM和MRAM的位置。當(dāng)出現(xiàn)寫入失誤時(shí),控制器優(yōu)先考慮將該數(shù)據(jù)放入SRAM。 (2)考慮到處理器反復(fù)將數(shù)據(jù)寫入某些單元的可能性,這些數(shù)據(jù)若在MRAM中需移入SRAM中。如果數(shù)據(jù)連續(xù)經(jīng)歷兩次寫入操作，則這些數(shù)據(jù)需要被移入SRAM中。 (3)注意到處理器的讀取操作同樣可能引起數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)移,而且其次數(shù)可能大于寫入操作。因此引入一個(gè)新的數(shù)據(jù)移動(dòng)策略。對(duì)于傳統(tǒng)的管理策略,數(shù)據(jù)會(huì)被移動(dòng)到host組，而適應(yīng)于混合結(jié)構(gòu)的策略把數(shù)據(jù)移入SRAM中。 (4)結(jié)果顯示混合結(jié)構(gòu)平均提高性能5.65% ,使平均總功耗降低了12.45%。 |
