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本電源模塊是65W單一C界面，其輸出電壓由協(xié)議IC可以控制5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A等電壓輸出，使用QR/DCM反馳式電路架構于輸出20V重載時可達93%效率及功率密度可達1.5W/cm3，本系統(tǒng)采用同系列控制單晶片：QR一次側控制IC驅動MTC D-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側同步整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC)可達到較佳匹配。 PCB 布局圖: 
GaN/氮化鎵作為第三代半導體材料經常被用在PD快充里面；氮化鎵（GaN）擁有極高的穩(wěn)定性，將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關損耗和驅動損耗，提升開關頻率，附帶地降低廢熱的產生，進而減小元器件的體積同時能提高效率。 EMI濾波器(EMI小板) : 為了符合CISPR22B/EN55022的標準，需設計合適的濾波電路，例如共模電感(LM1/LM2)、X電容(CX1)、Y電容(CY1)、濾波電感(L1)且配合電流較佳回路達到較好的EMI效果，EMI小板設計主要是降低電磁干擾。 USB PD3.0 (協(xié)議小板) : 協(xié)議小板主要是采用協(xié)議芯片SC2151A設計，其由受電端發(fā)出電壓需求給協(xié)議IC后，控制主板改變輸出電壓，本協(xié)議必需符合 PD3.0之協(xié)議。 本協(xié)議芯片支持 -支援 DFP / UFP / DRP USB PD 3.0 -內鍵PD 3.0協(xié)議 本報告內容包括65W1C電氣規(guī)格、線路圖、BOM、主變壓器設計參數(shù)、線路布局，是效能量測及EMI測試結果。
優(yōu)勢: 返馳式谷底偵測減少開關損失 輕載Burst Mode增加效率 較佳效能可達93% 空載損耗低于50mW 控制IC可支持頻率高達160 kHz 系統(tǒng)頻率有Jitter降低EMI干擾 控制IC可直接驅動GaN 進階保護功能如下： (1) VDD過電壓及欠電壓保護 (2) 導通時較大峰值電流保護 (3) 輸出過電壓保護 (4) 輸出短路保護 可輸出65W功率 臺灣美祿在GaN/氮化鎵領域頗有建樹，技術以及產品方面已經很完善，如果想了解更多GaN/氮化鎵的技術資料，歡迎致電聯(lián)系：133 9280 5792(微信同號)
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