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來源：大半導體產業網 據報道，日前，恩智浦半導體與臺積電宣布合作，并推出業界首款采用16nm鰭式場效電晶體（FinFET）技術的車用嵌入式磁阻式隨機存取存儲器（Magnetic Random Access Memory；MRAM）。 恩智浦介紹稱，MRAM僅需約3秒就能更新20MB的代碼，能最大限度縮短軟件更新導致的停機時間，并讓汽車制造商消除因長時間模組編程而造成的瓶頸。此外，MRAM還能提供高達百萬次的更新周期，較NAND Flash和其他新興存儲器技術高出10倍，為車輛任務剖面（mission profile）提供高度可靠的技術。 臺積電16 FinFET嵌入式MRAM技術憑借其百萬周期耐用度、支援焊錫回焊、以及攝氏150度下還能保留數據達20年，超越車載應用嚴格要求。 恩智浦半導體執行副總裁暨車用處理事業部總經理Henri Ardevol表示：恩智浦與臺積電已合作數十年，MRAM是恩智浦S32車用解決方案系列的突破性新生力軍，支援下一代車輛架構。 |
