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紅外熱像儀的優(yōu)劣從技術角度來說，主要集中在探測芯片、圖像算法和測溫算法三個層面。紅外熱像儀中的紅外芯片采用不同的熱敏材料制成，常見的有氧化釩（VOx）和非晶硅（α-Si）兩種材料。 紅外探測芯片一個很重要的指標是像元間距，該指標直接影響到成像儀可以實現(xiàn)的像素水準。目前市面上常用的紅外熱像儀普遍使用的紅外探測芯片像元間距是17μm。17μm可以說是兩種材料紅外探測芯片的分水嶺，因為在此像元間距下，氧化釩和非晶硅性價比是差不多的，氧化釩的高質(zhì)量成像優(yōu)勢但更貴，非晶硅成像能力弱但成本更低。 從17μm像元間距開始，基于非晶硅的紅外芯片成像質(zhì)量就明顯落入下風，到12μm像元間距甚至更小的間距，則完全是氧化釩的天下。熱像儀的清晰程度本質(zhì)上需要更小的像元間距作為支撐，在強大核芯的基礎上，配合高質(zhì)量的圖像算法和測溫算法，才能準確地建立清晰的熱成像圖。 民用市場自然不可能追求技術領先不考慮成本，雖然更小像元間距的紅外芯片成本會更高，但廠商也有不少攤薄成本的辦法。例如艾睿光電在小像元間距上通過大批量產(chǎn)也在盡可能降低12μm、10μm和8μm芯片成本，高德紅外通過晶圓級封裝解決微型化和成本問題。 AMEYA360報道：紅外熱成像背后的技術支持 |
