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RAID控制卡的日志存儲器存放重要數(shù)據(jù)，如日志和數(shù)據(jù)寫入完成、奇偶校驗(yàn)寫入、錯(cuò)誤日志等。在斷電的情況下，控制器查詢?nèi)罩緝?nèi)存，以了解從哪里開始恢復(fù)。日志內(nèi)存中的數(shù)據(jù)即使在斷電的情況下，也必須保留。電池供電的SRAM或nvSRAM主要被用作日志內(nèi)存。MRAM是非易失性存儲器，提供快速寫入和實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)存儲，是RAID系統(tǒng)最理想的存儲器。 MRAM與SRAM不同，無需電壓控制器、電池及電池插座，與nvSRAM不同，無需電容器，保證突發(fā)斷電時(shí)的安全，恢復(fù)時(shí)間短，長期數(shù)據(jù)保存（10年），近乎無限的耐用性（100兆次的寫入次數(shù)），寫入速度快等優(yōu)點(diǎn)。 英尚提供的 STT-MRAM兼具非易失、幾乎無限的耐用、高速度、高密度、低耗等各種優(yōu)良特性，所以被認(rèn)為是電子設(shè)備中的理想存儲器。與現(xiàn)有的靜態(tài)存儲器SRAM、動(dòng)態(tài)存儲器DRAM和快閃存儲器Flash相比，MRAM性能都足非常優(yōu)秀的。對于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言，是最為理想的存儲器。 |
