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ROHM開發了新系列的Nch MOSFET（40V/60V/80V/100V/150V）RS6xxxxBx/RH6xxxxBx系列，適用于使用24V/36V/48V電源運行的應用，如工業和消費類設備的基站、服務器和電機。 然而，一般MOSFET的特點是導致功率損耗的兩個主要參數：導通電阻（RDS（on）），與芯片尺寸成反比，以及柵極漏極電荷（Qgd）與芯片尺寸成比例增加，這使得實現兩者具有挑戰性。羅姆通過采用銅夾連接和改進柵極結構，改善了兩者之間的權衡。 新型MOSFET通過提高器件性能并采用具有低電阻銅夾連接的HSOP2/HSMT1封裝，實現了業界領先的50.8mΩ導通電阻，比傳統器件低約8%。此外，Rohm表示，與傳統產品相比，改進元件柵極結構可將Qgd（通常與RDS（on）處于權衡關系）降低約40%（比較RDS（on）和60V HSOP8封裝產品的Qgd的典型值）。 這些改進降低了開關和傳導損耗，極大地提高了應用效率。例如，在比較工業設備電源評估板的效率時，羅姆的新產品在穩態運行期間的輸出電流范圍內實現了約95%（峰值）的行業領先效率。 應用示例包括服務器和通信基站的電源、工業和消費類產品的電機以及各種電源電路和配備電機的設備。 AMEYA360報道：ROHM宣布推出新型MOSFET |
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