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明佳達(dá)，星際金華供求 串行閃存-NOR存儲(chǔ)器W25Q256JWEIQ/LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR 現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 W25Q256JWEIQ 1.8V 256Mb 串行閃存-NOR 存儲(chǔ)器 IC，帶雙四路 SPI 產(chǎn)品描述 W25Q256JWEIQ（256M-bit）串行閃存為空間、引腳和功耗有限的系統(tǒng)提供存儲(chǔ)解決方案。25Q系列的靈活性和性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過普通的串行閃存器件。它們非常適合于代碼陰影到RAM、直接從雙/四SPI (XIP)執(zhí)行代碼以及存儲(chǔ)語音、文本和數(shù)據(jù)。器件采用1.7V至1.95V單電源供電，掉電時(shí)電流消耗低至1μA。所有器件均采用節(jié)省空間的封裝。 W25Q256JWEIQ陣列分為131,072個(gè)可編程頁，每個(gè)頁256字節(jié)。一次最多可編程256字節(jié)。頁可按16個(gè)一組（4KB扇區(qū)擦除）、128個(gè)一組（32KB塊擦除）、256個(gè)一組（64KB塊擦除）或整個(gè)芯片（芯片擦除）進(jìn)行擦除。W25Q256JWEIQ分別有8,192個(gè)可擦除扇區(qū)和512個(gè)可擦除塊。W25Q256JWEIQ分別有8,192個(gè)可擦寫扇區(qū)和512個(gè)可擦寫塊。 W25Q256JWEIQ支持標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口（SPI）、高性能雙/四路輸出以及雙/四路I/O SPI： 串行時(shí)鐘、片選、串行數(shù)據(jù)I/O0 (DI)、I/O1 (DO)、I/O2和I/O3。支持高達(dá)133MHz的SPI時(shí)鐘頻率，當(dāng)使用SPI快速讀取Quad I/O指令時(shí)，Quad I/O的等效時(shí)鐘頻率為532MHz（133MHz x 4）。這些傳輸速率優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)異步8位和16位并行閃存。 產(chǎn)品特點(diǎn) 新型SpiFlash存儲(chǔ)器系列 最高性能的串行閃存 低功耗、寬溫度范圍 4KB扇區(qū)的靈活架構(gòu) 先進(jìn)的安全特性 節(jié)省空間的封裝 FPGA IC LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR 現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 UFBGA49 產(chǎn)品描述 LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR采用65 nm非易失性低功耗工藝設(shè)計(jì)。該器件架構(gòu)具有多種特性，例如可編程低擺幅差分 I/O，以及動(dòng)態(tài)關(guān)閉 I/O 組、片上 PLL 和振蕩器的能力。這些特性有助于管理靜態(tài)和動(dòng)態(tài)功耗，從而實(shí)現(xiàn)該系列所有成員的低靜態(tài)功耗。 特點(diǎn) 靈活的邏輯架構(gòu) 六款器件，具有 256 至 6864 個(gè) LUT4 和 18 至 334 個(gè) I/O 超低功耗器件 先進(jìn)的 65 納米低功耗工藝 待機(jī)功耗低至22 μW 可編程低擺幅差分I/O 待機(jī)模式和其他省電選項(xiàng) 嵌入式和分布式存儲(chǔ)器 高達(dá) 240 kbits sysMEM™ 嵌入式塊 RAM 高達(dá)54 kbits的分布式RAM 專用FIFO控制邏輯 片上用戶閃存 高達(dá)256 kbits的用戶閃存 |
