全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動用驅(qū)動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。
近年來，為了實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會，對消費電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相比，GaN HEMT的柵極處理很難，必須與驅(qū)動柵極用的驅(qū)動器結(jié)合使用。在這種市場背景下，ROHM結(jié)合所擅長的功率和模擬兩種核心技術(shù)優(yōu)勢，開發(fā)出集功率半導體——GaN HEMT和模擬半導體——柵極驅(qū)動器于一體的Power Stage IC。該產(chǎn)品的問世使得被稱為“下一代功率半導體”的GaN器件輕輕松松即可實現(xiàn)安裝。 新產(chǎn)品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能夠更大程度地激發(fā)出GaN HEMT性能的專用柵極驅(qū)動器、新增功能以及外圍元器件。另外，新產(chǎn)品支持更寬的驅(qū)動電壓范圍（2.5V～30V），擁有支持一次側(cè)電源各種控制器IC的性能，因此可以替換現(xiàn)有的Si MOSFET（Super Junction MOSFET*3／以下簡稱“Si MOSFET”）。與Si MOSFET相比，器件體積可減少約99%，功率損耗可降低約55%，因此可同時實現(xiàn)更低損耗和更小體積。 新產(chǎn)品已于2023年6月開始量產(chǎn)（樣品價格4,000日元/個，不含稅）。另外，新產(chǎn)品及對應的三款評估板（BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003）已開始網(wǎng)售，在Ameya360等電商平臺可購買。 |
