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高度優(yōu)化的解決方案實現主要小型化目標，且不受生產批量的局限 模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，新增集成無源器件（IPD）制造能力，進一步增強其在射頻（RF）領域的廣泛實力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動的人員可與X-FAB技術人員（位于438C展位）就這一創(chuàng)新進行交流。 
X-FAB XIPD晶圓上的電感器測試結構 XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術利用工程基底和厚銅金屬化層，讓客戶能夠在其器件設計中直接集成無源元件（電感器、電容器和電阻器），從而顯著節(jié)省空間及成本。借助公司在銅金屬化技術領域的豐富經驗，相關生產制造將在X-FAB位于法國科爾貝—埃索訥（Corbeil-Essonnes）的工廠進行。 5G蜂窩基礎設施的不斷推出、6G通信的發(fā)展，以及最新一代雷達和衛(wèi)星通信技術的涌現，均需要能夠支持更寬頻率的器件。基于XIPD平臺，可制造出具有更高性能特征的全集成高質量無源元件，從而滿足對更緊湊RF/EMI濾波器、匹配網絡、平衡器和耦合器的需求。 由于使用表面貼裝或分立無源元件可能會因元件在高頻率下的偏差或元件采購復雜性的增加而帶來不便，XIPD提供了一種更為有效的途徑，可簡化整體系統(tǒng)設計、加快開發(fā)周期、簡化制造過程，并降低相關工程費用，還可以適應從sub—6GHz頻段一直到毫米波高頻段的廣泛頻率范圍。 X-FAB技術的獨特之處在于可為任何批量的集成無源器件制造提供代工服務。我們推出全面的工藝設計套件（PDK），同時支持Cadence和Keysight ADS設計環(huán)境，使客戶能夠進行完整RF子系統(tǒng)的精確仿真，并獲得首次成功（first-time-right）設計。目前，與幾家主要客戶的初步原型設計現已啟動。 “雖然RF半導體器件不斷縮小，但與之配套的無源元件仍相對較大。兩者間的這種不匹配占用了過多的電路板面積，不符合對更時尚電子設備的需求。”X-FAB首席執(zhí)行官Rudi De Winter指出，“通過采用我們的XIPD技術，不僅可以節(jié)省多個數量級的空間，還可以降低相關成本。這對于我們的客戶群而言，有可能真正改變行業(yè)的游戲規(guī)則，允許有源和無源芯片共同封裝，同時實現高產量。” X-FAB射頻技術總監(jiān)Greg U'Ren補充說：“此外，目前基于聲學技術的濾波解決方案無法實現毫米波頻率工作，難以滿足下一代通信標準的要求。我們的XIPD解決方案使客戶能夠實現緊湊的RF系統(tǒng)設計，并通過完全集成的硬件最大限度地減少損耗，從而為市場創(chuàng)造價值。我們已經在開展70—80GHz頻段的工作項目，而使用分立式無源方案是無法想象的。” |
