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來源：半導體行業觀察 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后Nexperia將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽能和儲能系統(ESS)逆變器等汽車和工業應用對高性能SiC MOSFET的需求。 
Nexperia高級總監兼SiC產品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱電機希望這兩款首發產品可以激發更多的創新，推動市場涌現更多寬禁帶器件供應商。Nexperia現可提供SiC MOSFET器件，這些器件的多個參數性能均超越同類產品，例如極高的RDS(on)溫度穩定性、較低的體二極管壓降、嚴格的閾值電壓規格以及極其均衡的柵極電荷比，能夠安全可靠地防止寄生導通。這是我們與三菱電機承諾合作生產高質量SiC MOSFET的開篇之作。毫無疑問，在未來幾年里，我們將共同推動SiC器件性能的發展。” 三菱電機半導體與器件部功率器件業務高級總經理Toru Iwagami表示：“我們很高興與Nexperia攜手推出這些新型SiC MOSFET，這也是我們合作推出的首批產品。三菱電機在SiC功率半導體方面積累了豐富的專業知識，我們的器件實現了多方面特性的出色平衡。” RDS(on)會影響傳導功率損耗，是SiC MOSFET的關鍵性能參數。Nexperia發現這也是造成目前市場上許多SiC器件的性能受限的因素，新推出的SiC MOSFET采用了創新型工藝技術，實現了業界領先的溫度穩定性，在25℃至175℃的工作溫度范圍內，RDS(on)的標稱值僅增加38%。 Nexperia SiC MOSFET的柵極總電荷(QG)非常低，由此可實現更低的柵極驅動損耗。此外，Nexperia通過平衡柵極電荷，使QGD與QGS比率非常低，這一特性又進一步提高了器件對寄生導通的抗擾度。 除了正溫度系數外，Nexperia的SiC MOSFET的器件間閾值電壓VGS(th)也超低，這使得器件并聯工作時，在靜態和動態條件下都能實現非常均衡的載流性能。此外，較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件穩健性和效率，同時還能放寬對異步整流和續流操作的死區時間要求。 Nexperia未來還計劃推出車規級MOSFET。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0現已投入大批量生產。請聯系Nexperia銷售代表獲取全套SiC MOSFET樣品。 欲了解有關Nexperia MOSFET的更多信息，請訪問：https://www.nexperia.com/sic-mosfets |
