H6203L 150V耐壓30V 48V 60V 72V 100V 150V轉(zhuǎn)5V 低功耗降壓芯片

HHZHOUQIN

寬電壓輸入的降壓恒壓芯片，其工作原理主要涉及以下步驟：

電壓檢測(cè)與比較：芯片內(nèi)部首先會(huì)對(duì)輸入電壓進(jìn)行檢測(cè)，并與預(yù)設(shè)的參考電壓進(jìn)行比較。這一步驟是為了確定輸入電壓是否在預(yù)設(shè)的范圍內(nèi)。

信號(hào)處理：基于比較結(jié)果，芯片會(huì)處理相關(guān)的信號(hào)。如果輸入電壓過高或過低，芯片會(huì)啟動(dòng)相應(yīng)的保護(hù)機(jī)制。

調(diào)整開關(guān)通斷時(shí)間：為了將輸入電壓降低到目標(biāo)值，芯片會(huì)調(diào)整開關(guān)的通斷時(shí)間。具體來(lái)說(shuō)，它會(huì)根據(jù)輸入電壓和目標(biāo)電壓的差值，以及電感電流等參數(shù)，來(lái)控制開關(guān)的通斷時(shí)間。

電壓輸出：經(jīng)過調(diào)整的電壓會(huì)通過芯片內(nèi)部的輸出電路，穩(wěn)定地輸出到外部負(fù)載。

反饋調(diào)節(jié)：為了確保輸出電壓的穩(wěn)定性，芯片通常會(huì)包含一個(gè)反饋環(huán)路。這個(gè)環(huán)路會(huì)持續(xù)監(jiān)測(cè)輸出電壓，并根據(jù)需要進(jìn)行微調(diào)，確保輸出電壓始終穩(wěn)定在目標(biāo)值。

保護(hù)機(jī)制：為了防止過熱或過電流等異常情況對(duì)芯片造成損害，芯片內(nèi)部通常會(huì)包含各種保護(hù)機(jī)制。例如過熱保護(hù)、過電流保護(hù)等。

產(chǎn)品描述

H6203L是一種內(nèi)置150V耐壓MOS，支持輸入高達(dá)120V的高壓降壓開關(guān)控制器，可以向負(fù)載提供1.5A的連續(xù)電流及最高4A的瞬間電流。H6203L支持輸出恒定電壓，可以通過調(diào)節(jié)VFB采樣電阻來(lái)設(shè)置輸出電壓，同時(shí)支持最大電流限制，可以通過修改CS采樣電阻來(lái)設(shè)置輸出電流最大值。典型開關(guān)頻率為130KHz，設(shè)計(jì)有最小開關(guān)頻率5KHz，可以確保良好的輸出動(dòng)態(tài)響應(yīng)。在輕型負(fù)載下，H6203L將進(jìn)入PWM+PFM模式，以獲得較高的轉(zhuǎn)換效率。

H6203L集成軟啟動(dòng)，可大幅度減弱輸入打火時(shí)產(chǎn)生浪涌對(duì)芯片的損壞，同時(shí)集成熱保護(hù)、輸出短路保護(hù)、輸出電流限制，提供可靠的容錯(cuò)操作。H6203L集成了輸入線路電壓補(bǔ)償和高帶寬環(huán)路，以滿足±4%的輸出電壓精度。H6203L支持低輸出電壓應(yīng)用，最低可帶到3.3V。H6203L采用ESOP-8封裝，芯片底部設(shè)計(jì)有功率散熱焊盤，連接芯片的VIN輸入端及內(nèi)置MOS漏極，可以有效的幫助芯片加大散熱。

產(chǎn)品特征

l 內(nèi)置150V高壓MOS

l 寬壓8V-120V輸入范圍

l 支持輸出電壓最低可調(diào)至3.3V

l 典型的1.5A持續(xù)電流及4A峰值瞬間電流

l 轉(zhuǎn)換效率最高可達(dá)95%

l 超低的待機(jī)功耗

l 輸出線損電壓補(bǔ)償

l 輸出電壓精度±4%

l 帶軟啟動(dòng)功能(SS)

l 帶過流保護(hù)功能(OCP)

l 帶過熱保護(hù)功能(OTP)

帶輸出短路保護(hù)功能(SCP)

典型應(yīng)用

l 恒壓電源

l GPS定位器，BMS

l MCU模塊供電

l 太陽(yáng)能模塊使能供電

l 應(yīng)急電源供電

H6203L原理圖