無晶圓廠環保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN™ 產品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學檢查。這兩種封裝均采用經過充分驗證的 DFN 封裝，堅固可靠。
DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10 mm，并采用側邊可濕焊盤技術，便于光學檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側冷卻方式運行，在設計上具有靈活性。在頂部尤其是雙側冷卻配置中，性能優于常用的TOLT封裝。DHDFN-9-1封裝采用雙極引腳設計，有助于優化PCB布局和簡單并聯，使客戶能夠輕松處理高達6千瓦的應用。 BHDFN-9-1（底部散熱器 DFN）是一種底部冷卻式組件，同樣采用側邊可濕焊盤技術，便于光學檢查。其熱阻為0.28 K/W，比肩或優于其他領先設備。BHDFN的外形尺寸為10x10 mm，雖然比常用的 TOLL 封裝更小，但具有相似封裝布局，因此也可以使用 TOLL 封裝的 GaN 功率 IC 進行通用布局，便于使用和評估。 NARE GABRIELYAN | CGD 產品市場經理： “新型封裝是我們戰略的一部分，為了使客戶將我們的 ICeGaN™ 產品系列 GaN 功率 IC 用于服務器、數據中心、逆變器/電機驅動器、微型逆變器和其他工業應用，獲得它們帶來的更高的功率密度和效率優勢。這些應用不僅對設備的要求更高、同時要求設備堅固可靠、易于設計。新型封裝支持并擴展了ICeGaN™ 產品系列的這些固有特性。” 提高熱阻性能有以下好處：第一，在相同的RDS(on)下可以實現更多的功率輸出。設備在相同功率下也能以較低的溫度運行，因此需要較少的散熱，從而降低了系統成本。第二，更低的工作溫度也會帶來更高的可靠性和更長的壽命。最后，如果應用需要更低的成本，設計者可以使用具有較高RDS(on)的低成本產品來實現所需的功率輸出。 采用新型封裝的 ICeGaN™ 產品系列 GaN 功率 IC 封裝產品將于2024年6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的 PCIM 展覽上首次公開展示。CGD的展位號為7-643。歡迎用戶蒞臨參觀和了解這些產品。 關于 Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶體管和 IC 的設計、開發與商業化，以實現能效和緊湊性的突破性飛躍。我們的使命是通過提供易于實現的高能效 GaN 解決方案，將創新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN™ 技術經證明適合大批量生產，并且 CGD 正在與制造合作伙伴和客戶攜手加快擴大規模。CGD 是一家無晶圓廠企業，孵化自劍橋大學。公司首席執行官兼創始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍與世界知名的劍橋大學高壓微電子和傳感器研究組 (HVMS) 保持著緊密聯系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技術背后有不斷擴充的強大知識產權組合做支撐，這也是公司努力創新的結晶。CGD 團隊在技術和商業方面的專業知識以及在功率電子器件市場上的大量突出表現，為其專有技術在市場上的認可程度奠定了堅實的基礎。欲了解更多信息，請訪問 https://camgandevices.com/zh/。 |
