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平板顯示產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷20年來一次最為重要的技術(shù)變革，可它對(duì)普通消費(fèi)者來講似乎是不能一眼就可以看穿的。這里所說的變革都與晶體管技術(shù)的進(jìn)步密切相關(guān)，所謂的晶體管即可以控制顯示畫面，呈現(xiàn)清晰亮麗影像的微小電子開關(guān)。 一個(gè)晶體管與LCD面板上的一個(gè)顯示像素相對(duì)應(yīng)，通過晶體管的開關(guān)控制LCD的亮暗。對(duì)應(yīng)顯示屏的所有像素晶體管陣列也被稱作背板，如圖所示。顯而易見，背板的性能直接影響到顯示屏的品質(zhì)，即你的電視屏，手機(jī)屏及平板電腦等。像素開光的快慢與刷新率相關(guān)，而顯示屏中所有像素的總數(shù)稱為分辨率。 今天，背板技術(shù)主要分為三種，分別是非晶硅（a-Si），低溫多晶硅（LTPS）和金屬氧化物（MO）。如果你正在考慮入手一臺(tái)平板電視，你會(huì)關(guān)注電視屏中微小的晶體管技術(shù)嗎？ 
在介紹背板技術(shù)前，這里先界定一些顯示術(shù)語。大多數(shù)消費(fèi)者對(duì)圖像的清晰度，顏色的亮度，視角及運(yùn)動(dòng)圖像的殘像等指標(biāo)非常感興趣。 分辨率是大家比較熟悉的一個(gè)重要的顯示指標(biāo)。 高清晰分辨率（HD）是目前電視的標(biāo)準(zhǔn)配置，是顯示屏像素?cái)?shù)量的多少。HD TV規(guī)格是指具備1080行x1920列，總共2，073，600個(gè)像素（事實(shí)上，每個(gè)像素還要由RGB三個(gè)子像素構(gòu)成，以子像素計(jì)的顯示單元三倍于上述像素?cái)?shù)）。但是，即使對(duì)于HD分辨率的55英寸平板電視，其像素密度只有40ppi。智能手機(jī)和平板電腦顯示屏的觀看距離較近，所以具有更高的ppi指標(biāo)。例如蘋果公司的第三代iPad具有令人驚訝的264ppi像素密度。如此看來，伴隨電視尺寸的進(jìn)一步增大，超高清分辨率將成為電視向更高分辨率方向發(fā)展的下一個(gè)里程碑。 另一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)是刷新頻率，60赫茲---即一幅畫面每秒鐘被刷新60次---是業(yè)內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。當(dāng)需要顯示更快動(dòng)作的影像時(shí)，為了使LCD圖像更清晰，很多廠家已經(jīng)開始采用120赫茲及240赫茲的刷新頻率；頻率的提升是否值得付出額外的價(jià)格，似乎更多地取決于每個(gè)消費(fèi)者對(duì)于畫質(zhì)差異的認(rèn)同程度。 3-D顯示內(nèi)容需要不低于120Hz的刷新頻率。目前大部分的3D顯示是利用兩幅不同視覺深度的畫面制造出3D圖像效果的。3D眼鏡幫助我們在一個(gè)時(shí)段只看到單幅畫面，然后經(jīng)過我們的大腦將兩幅不同時(shí)段的畫面合成為一個(gè)完整的具有三維景深的圖像。 高清晰度，更快的刷新率和3D顯示內(nèi)容已經(jīng)逐漸超出目前非晶硅晶體管（a-Si TFT）的驅(qū)動(dòng)能力，不能滿足上述更高指標(biāo)的要求。 回顧平板顯示過去多年的發(fā)展歷程，a-Si一直是TFT背板的主要技術(shù)方案。A-Si TFT技術(shù)具有制造成本低，成品率較高以及基板制造升級(jí)相對(duì)簡單，目前可以用超大的9平方米玻璃基板進(jìn)行量產(chǎn)。這種世代升級(jí)帶來的成本降低日益滿足了消費(fèi)者的價(jià)格預(yù)期，使得a-Si TFT-LCD產(chǎn)品成為了顯示業(yè)內(nèi)的主流產(chǎn)品。 晶體管的功能主要是為像素充電，快速達(dá)到工作電壓，并保持像素上的電量直到下一次刷新信號(hào)。對(duì)于晶體管來講，一個(gè)關(guān)鍵的性能是載流子的遷移率，即電子的移動(dòng)速度。電子遷移率低意味著響應(yīng)緩慢。A-Si的載流子遷移率將不能夠勝任高分辨率，高響應(yīng)速度顯示屏的要求，如最新的高端智能手機(jī)和平板電腦等顯示屏。 可替代a-Si的技術(shù)目前有LTPS（低溫多晶硅）和MO（金屬氧化物）。最好的替代材料應(yīng)該有更高的載流子遷移率，而且制造成本要低，量產(chǎn)的良率要高以及制造工藝能夠向大尺寸化（同時(shí)保持薄膜的均勻性）升級(jí)，進(jìn)一步發(fā)揮世代升級(jí)帶來的單位面積制造成本降低的優(yōu)勢。 相對(duì)地，LTPS具有最高的載流子遷移率，不過制造成本也最高，由于LTPS需要更多的工藝步驟。而且LTPS工藝在獲得良好的薄膜均勻性和高良品率方面也面臨很大的挑戰(zhàn)。此外，LTPS在世代升級(jí)上受到一定的限制，目前主要的瓶頸在激光退火設(shè)備，只能對(duì)應(yīng)中等基板尺寸（小于3平方米）。 MO技術(shù)，采用銦鎵鋅氧組分的金屬氧化物成為業(yè)界最具希望的替代技術(shù)，能夠在大尺寸玻璃基板上獲得所需的高遷移率和高均勻性。（今天，應(yīng)用材料公司正式發(fā)布了一項(xiàng)新的PECVD技術(shù)，用于制造MO TFT的絕緣薄膜，其可容納的基板尺寸有9平方米大小，如前面a-Si中提到的尺寸。MO工藝，對(duì)比LTPS，所需的掩膜工序更少，而且具有在室溫條件沉積薄膜的優(yōu)點(diǎn)，意味著在未來的柔性顯示襯底上可以進(jìn)行同樣的成膜工藝。 如果顯示產(chǎn)業(yè)能夠成功實(shí)現(xiàn)這一新型背板技術(shù)的飛躍，這種改變的成本還是很經(jīng)濟(jì)的，而且改變的細(xì)節(jié)對(duì)消費(fèi)者來講也是相對(duì)清晰可見的。 來源：電子工程網(wǎng) |
