技術(shù)落后、市場(chǎng)下滑，韓國(guó)半導(dǎo)體大敗退

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據(jù)韓國(guó)媒體ZDNet Korea 2月24日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，三星電子近期已與中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商簽署了開(kāi)發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術(shù)的專(zhuān)利許可協(xié)議，以便從其第10代（V10）NAND Flash產(chǎn)品（430層）開(kāi)始使用該專(zhuān)利技術(shù)來(lái)進(jìn)行制造。

除了三星，ZDNET Korea還強(qiáng)調(diào)，韓國(guó)另一大存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士的下一代NAND閃存芯片的核心專(zhuān)利，也需要依賴中國(guó)，預(yù)計(jì)SK海力士也將與中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商簽署專(zhuān)利協(xié)議。

業(yè)內(nèi)人士指出，目前掌握3D NAND混合鍵合關(guān)鍵專(zhuān)利的公司主要來(lái)自美國(guó)和中國(guó)，而三星、SK海力士等韓國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)幾乎無(wú)法繞開(kāi)中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的專(zhuān)利布局。

與此同時(shí)，市場(chǎng)研究公司Gartner的最新數(shù)據(jù)顯示，三星電子正面臨DRAM和NAND閃存盈利能力下滑的困境，業(yè)績(jī)表現(xiàn)欠佳。多重因素疊加，使得三星不得不正視自身在專(zhuān)利方面的局限性，并與中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)達(dá)成合作，以提升其存儲(chǔ)板塊的競(jìng)爭(zhēng)力。

隨著中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的崛起，韓國(guó)多家半導(dǎo)體企業(yè)已經(jīng)在專(zhuān)利布局上落入下風(fēng)。集微咨詢發(fā)布的《2024年中國(guó)大陸半導(dǎo)體制造企業(yè)專(zhuān)利實(shí)力榜單》顯示，中芯國(guó)際、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華虹宏力等企業(yè)名列前茅。在國(guó)際視野榜單中，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)分別位列第一、第二位，其多元專(zhuān)利布局體現(xiàn)出積極參與國(guó)際行業(yè)進(jìn)步的戰(zhàn)略眼光。

知識(shí)產(chǎn)權(quán)法律公司Mathys&squire的最新報(bào)告也顯示，2023-2024年中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量猛增42%，從32840件增至46591件，同比增長(zhǎng)42%，在所有地區(qū)中增長(zhǎng)最為強(qiáng)勁，超過(guò)包括韓國(guó)在內(nèi)的其他地區(qū)。這表明中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)在中美技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)的背景下展現(xiàn)出強(qiáng)大韌性。

面對(duì)增長(zhǎng)困境，韓國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)也在反思。據(jù)韓聯(lián)社23日?qǐng)?bào)道，韓國(guó)科技評(píng)估與規(guī)劃研究院（KISTEP）發(fā)布的一份調(diào)查顯示，韓國(guó)在大多數(shù)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域已被中國(guó)趕超。例如，在高集成度、低阻抗存儲(chǔ)技術(shù)方面，韓國(guó)得分為90.9%，低于中國(guó)的94.1%；在高性能、低功耗AI半導(dǎo)體領(lǐng)域，韓國(guó)得分為84.1%，落后于中國(guó)的88.3%。此外，在功率半導(dǎo)體和新一代高性能傳感技術(shù)方面，韓國(guó)也均落后于中國(guó)。

與此同時(shí)，韓國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的“最后防線”——HBM板塊也面臨來(lái)自中美的壓力。美光目前已向英偉達(dá)的AI芯片供應(yīng)8層HBM3E芯片，盡管其市場(chǎng)份額仍遠(yuǎn)低于12層HBM3E芯片的領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士，但領(lǐng)先于三星電子的HBM產(chǎn)品和市場(chǎng)進(jìn)度。近日還有消息指出，美光即將開(kāi)始量產(chǎn)其12層堆棧的HBM，并將其供應(yīng)給英偉達(dá)。然而，美光在趕超了三星電子之后，如今還正努力在今年晚些時(shí)候幾乎與SK海力士同步量產(chǎn)16層HBM3E。

值得注意的是，3月6日美光突然宣布關(guān)鍵人事任命，其中臺(tái)積電前董事長(zhǎng)劉德音加入董事會(huì)備受關(guān)注。業(yè)內(nèi)人士分析，劉德音豐厚的履歷能夠在芯片制造、海外建廠、AI技術(shù)與市場(chǎng)判斷等方面給予美光強(qiáng)援。近兩年面對(duì)激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)和復(fù)雜環(huán)境，美光頹勢(shì)不斷顯現(xiàn)，不僅在先進(jìn)制程上與臺(tái)積電等差距不斷拉大，更是在印度、墨西哥等地海外建廠上面臨地緣政治的風(fēng)險(xiǎn)，劉德音在技術(shù)革新與風(fēng)控方面是業(yè)內(nèi)的頂尖專(zhuān)家，然而在美光如此內(nèi)外交困的背景下加盟能否力挽狂瀾，仍有待時(shí)間的檢驗(yàn)。

國(guó)內(nèi)方面，專(zhuān)家指出，中國(guó)Deepseek的出現(xiàn)也將對(duì)韓國(guó)HBM產(chǎn)業(yè)構(gòu)成重大沖擊。Deepseek證明，AI模型可以在較低規(guī)格的HBM支持下實(shí)現(xiàn)高性能。如果越來(lái)越多的AI企業(yè)效仿Deepseek，采用低成本、低規(guī)格芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能AI模型，韓國(guó)高端HBM的市場(chǎng)需求將受到更嚴(yán)重的沖擊。中國(guó)企業(yè)盡管在HBM領(lǐng)域依然落后韓國(guó)企業(yè)，但正加速追趕，試圖在HBM等高附加值領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。此外，中國(guó)企業(yè)在AI芯片設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試等領(lǐng)域的進(jìn)步，也為HBM的國(guó)產(chǎn)化奠定了基礎(chǔ)。

韓國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)在復(fù)雜的局勢(shì)下，正面臨著技術(shù)趕超和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力上的雙重壓力。而這對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)而言是一個(gè)重大的機(jī)遇，盡管美國(guó)政府在半導(dǎo)體領(lǐng)域施加了全方位的壓力，但憑借自身的技術(shù)積累和突破，中國(guó)企業(yè)或?qū)⒛懿蹲礁�多機(jī)會(huì)。