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全球半導體產業競爭格局正經歷深刻變革，據韓國ZDNet Korea近日披露，三星電子已與中國存儲芯片企業簽署混合鍵合技術專利授權協議，該技術將應用于其第十代430層NAND閃存制造。這標志著韓國半導體巨頭在關鍵技術領域開始轉向中國尋求突破。 技術版圖重構下的雙向選擇 混合鍵合作為3D NAND堆疊技術的核心，其專利布局正成為產業競爭的關鍵戰場。行業數據顯示，當前該領域關鍵專利主要集中在中美企業手中，迫使韓國存儲雙雄不得不調整策略。SK海力士同樣面臨類似處境，其下一代NAND閃存技術研發也需與中國企業達成專利合作。 市場研究機構Gartner最新報告揭示了韓國半導體企業的現實困境：三星電子DRAM與NAND閃存業務利潤率持續下滑，SK海力士雖在HBM3E芯片市場保持領先，但面臨美光等對手的強勢追擊。這種技術瓶頸與市場壓力的雙重擠壓，促使韓國企業重新審視與中國同行的競合關系。 專利版圖見證實力逆轉 中國半導體企業的技術積累正引發產業格局質變，集微咨詢發布的《2024年中國大陸半導體制造企業專利實力榜單》顯示，中芯國際、長鑫存儲、長江存儲、華虹宏力等企業名列前茅。在國際視野榜單中，長鑫存儲和長江存儲分別位列第一、第二位，其多元專利布局體現出積極參與國際行業進步的戰略眼光。另據Mathys&Squire機構數據顯示，2023-2024年中國半導體專利申請量同比激增42%，達到46591件，增速遠超韓國等傳統強國。 韓國科技評估院最新調查印證了這種趨勢逆轉：在存儲技術等15個關鍵技術領域，中國已在11個領域實現反超。特別是在高集成存儲技術（94.1% vs 90.9%）等核心指標上，中韓技術差距持續擴大。 HBM防線遭遇多維沖擊 被視為韓國半導體"最后堡壘"的HBM領域正面臨中美企業的合圍。美光已向英偉達供應8層HBM3E芯片，并計劃年內同步SK海力士量產16層產品。值得關注的是，臺積電前董事長劉德音加入美光董事會，其技術決策與風險管控經驗或將影響產業競爭格局。近兩年面對激烈的市場競爭和復雜環境，美光頹勢不斷顯現，不僅在先進制程上與臺積電等差距不斷拉大，更是在印度、墨西哥等地海外建廠上面臨地緣政治的風險，劉德音在技術革新與風控方面是業內的頂尖專家，然而在美光如此內外交困的背景下加盟能否力挽狂瀾，仍有待時間的檢驗。 中國企業的創新突破更添變數。深度求索（Deepseek）的實踐表明，AI模型可通過優化算法在低規格HBM上實現高性能，這種技術路徑若形成趨勢，或將動搖韓國高端HBM的市場根基。盡管當前中國HBM技術仍處追趕階段，但在芯片設計、先進封裝等配套領域的快速進步，正為產業突破積蓄能量。 在這場全球半導體產業變局中，中國企業展現出戰略定力，通過持續的技術積累和專利布局，不僅突破了外部技術封鎖，更在多個細分領域形成反超態勢。對于韓國半導體產業而言，如何平衡技術合作與自主創新，在守住既有優勢的同時開辟新賽道，將成為決定未來競爭地位的關鍵。而中國半導體產業的崛起軌跡，正為全球技術博弈提供新的注解。 |
