ISL9241HRTZ / S9S12G96F0CLFR / ISOW7842DWER / IPB200N25N3G——IC器件

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深圳市明佳達電子，星際金華長期（供應及回收）原裝庫存器件！
【供求原裝器件】ISL9241HRTZ電池充電器 / S9S12G96F0CLFR 16位微控制器IC / ISOW7842DWER數字隔離器 / IPB200N25N3G MOSFET晶體管——IC器件。
【供應】只做原裝，庫存器件，價格方面由于浮動不一，請以當天詢問為準！
【回收】只需原裝庫存器件，須有原廠外包裝標簽，有庫存的朋友，歡迎隨時聯絡我們！

ISL9241HRTZ：降壓-升壓型電池充電器，帶 SMBus 接口和 USB 送電功能，TQFN-32
型號：ISL9241HRTZ
封裝：TQFN-32
類型：降壓-升壓型電池充電器
ISL9241HRTZ——產品屬性：
電池化學成份：鋰離子
電池數：2 ~ 4
電流 - 充電：恒流 - 可編程
可編程特性：電流，定時器
故障保護：過流，超溫，過壓
電池組電壓：3.9V ~ 18.304V
電壓 - 供電（最高）：23.4V
接口：I2C，SMBus
工作溫度：-10°C ~ 100°C
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：32-WFQFN 祼焊盤
供應商器件封裝：32-TQFN（4x4）

S9S12G96F0CLFR：125MHz，16位 HCS12 微控制器IC，LQFP-48
型號：S9S12G96F0CLFR
封裝：LQFP-48
類型：16位微控制器IC
S9S12G96F0CLFR——產品屬性：
系列：HCS12
核心處理器：12V1
內核規格：16 位
速度：25MHz
連接能力：CANbus，IrDA，LINbus，SCI，SPI
外設：LVD，POR，PWM，WDT
I/O 數：40
程序存儲容量：96KB（96K x 8）
程序存儲器類型：閃存
EEPROM 容量：3K x 8
RAM 大小：8K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：3.13V ~ 5.5V
數據轉換器：A/D 12x10b
振蕩器類型：內部
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝48-LQFP（7x7）
封裝/外殼：48-LQFP

ISOW7842DWER：具有集成電源的高性能、5000VRMS 四通道增強型數字隔離器
概述：ISOW7842DWER是一款具有集成式高效電源轉換器的高性能四通道增強型數字隔離器。集成式直流/直流轉換器高效運行，提供最高可達 650 mW 的隔離式電源，可按各種輸入和輸出電壓進行配置。
ISOW7842DWER——規格參數：
技術：容性耦合
類型：通用
隔離式電源：是
通道數：4
輸入 - 側 1/側 2：2/2
通道類型：單向
電壓 - 隔離：5000Vrms
共模瞬變抗擾度（最小值）：100kV/µs
數據速率：100Mbps
傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）：17.6ns，17.6ns
脈寬失真（最大）：4.7ns
上升/下降時間（典型值）：2ns，2ns
電壓 - 供電：3V ~ 5.5V
工作溫度：-40°C ~ 125°C
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）

IPB200N25N3G：250V，64A，OptiMOS™ N通道 MOSFET 晶體管，TO-263-3
型號：IPB200N25N3G
封裝：TO-263-3
類型：MOSFET 晶體管
IPB200N25N3G——產品屬性：
系列：OptiMOS™
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：250 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：64A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：20 毫歐 @ 64A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 270µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：86 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7100 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：PG-TO263-3
封裝/外殼：TO-263-3，D2PAK（2 引線 + 凸片），TO-263AB