新技術讓24nm閃存壽命延長13倍

發布時間：2012-5-17 15:17 發布者：1770309616

NAND閃存工藝技術不斷進步，但是可靠性和使用壽命卻在倒退。盡管從理論上說依然足夠絕大多數人用上好幾年的，但這種趨勢終歸讓人很不爽。固態硬盤廠商STEC近日宣布了一項新技術“CellCare”，能讓NAND閃存的壽命一下子延長多達13倍。
CellCare是一項硬件和固件綜合技術，核心內容包括：每個內核的閃存參數追蹤，可帶來更少的、受控的磨損；終生閃存管理，可減少磨損、控制性能、改進性能、降低讀寫延遲；高級錯誤糾正與數字信號處理，可改進數據可靠性、最大程度減少重新讀取。
加入這種技術后，24nm MLC NAND閃存的全盤寫入擦除次數(program/erase cycles)可以從現有的3000次猛增到40000次，一下子就增加了13倍還多，而且壽命后期的讀寫重試可以最高接近100％降低到不足0.011％，擦寫速度經過控制后可以基本維持原有水平或者略有減慢。

STEC也正在準備基于CellCare技術的新一代企業級固態硬盤，使用自己的第四代ASIC主控制器、低成本的cMLC NAND閃存，可以連續五年做到每天都進行十次全盤隨機寫入，40℃高溫下可保持數據完整達三個月且不損失任何性能。換言之，這相當于一塊400GB的固態硬盤終身寫入大約7.3PB的數據。
STEC工程師還對其進行了一系列JEDEC標準測試，包括擦寫耐久性和數據保持壓力測試、基于壓力測試的集成電路驗證、固態硬盤需求和耐久性測試等等。
據透露，CellCare技術將全面進駐STEC PCI-E、ZeuslOPS SAS、MACH16 SATA等多條固態硬盤產品線，預計今年晚些時候投產。至于是否會向其它廠商開放這種技術的授權，目前還不得而知。

文/驅動之家

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