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SI2308BDS-T1-GE3-VB一款SOT23-3封裝MOSFET參數(shù)應(yīng)用解析

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VBsemi

發(fā)布時(shí)間: 2023-10-13 14:40

正文摘要:

SI2308BDS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET產(chǎn)品，采用SOT23-3封裝。其特性包括額定電壓為60V，額定電流為4A，RDS(ON)參數(shù)為85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），以及20Vgs(±V)的電壓限制和1~3Vth的閾值電壓范圍。 SI2 ...

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