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SI2308BDS-T1-GE3-VB一款SOT23-3封裝MOSFET參數應用解析

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發表于 2023-10-13 14:40:45 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
關鍵詞: MOS管 , MOS , mosfet , vbsemi , SI2308BDS-T1-GE3
SI2308BDS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET產品,采用SOT23-3封裝。其特性包括額定電壓為60V,額定電流為4A,RDS(ON)參數為85mΩ(在10V下)和96mΩ(在4.5V下),以及20Vgs(±V)的電壓限制和1~3Vth的閾值電壓范圍。

SI2308BDS-T1-GE3適用于多個應用領域。在電源管理、功率轉換、驅動電路和開關電路等領域中,它可以實現電流控制和功率轉換。此外,在汽車電子、消費電子和通信設備等領域,它也有潛在的應用。

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VB1695.png

SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET Datasheet.pdf

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