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電源技術新聞列表

美科學家成功將氟壓縮到半導體,可用于高效率燃料電池

美國國防部旗下防恐威脅署(Threat Reduction Agency)以及美國國家科學基金會(NSF)的研究人員證實,氟(fluorine)能被壓縮到半導體以及晶體金屬(crystalline metal)中,應用范圍包括可摧毀有毒微 ...
2010年07月13日 09:44   |  
燃料電池  

IR推出在線設計工具,進一步簡化和加速POL設計

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱 IR) 今天宣布推出新型在線設計工具,以實現對 SupIRBuck 系列集成負載點穩壓器的電氣、熱模擬和設計優化。 這款易于使用的互動型網上工 ...
2010年07月07日 13:41   |  
POL   SupIRBuck  

微軟開發出無極電池

你在往電子設備里安裝電池時是不是經常碰到把電池裝反了的問題呢?最近微軟開發出來的一項技術則可以徹底解決這個問題,他們本周四公布了一項名為 InstaLoad的技術,利用這種技術,人們可以制造 ...
2010年07月05日 09:02   |  
電池   開發   微軟   無極  

IR推出采用PQFN封裝和銅夾技術的中壓功率MOSFET產品

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產品組合,提供完整的中壓器件系列,它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優化銅夾和焊接芯片技術。 新的功率MOSFET采 ...
2010年07月02日 11:39   |  
MOSFET   中壓  

MIT新技術可使鋰電池電力提升十倍

有人說,智能手機吃電就像小孩吃糖一樣快。最近,一項新的研究進展有可能讓電池的續航能力提高十倍。 麻省理工學院(MIT)的研究人員采用碳納米管作為電池的電極,其充電量遠大于現有鋰 ...
2010年06月25日 14:01   |  
MIT   鋰電池  

MIT采用納米碳管設計鋰電池 可多存5倍電量

美國麻省理工學院(MIT)的研究人員開發出一種利用正極涂層碳納米管構建新特性鋰離子電容和電池的方法,該技術在含氧化學物質中加入納米碳管涂層,并與鋰元素一起大面積產生電流。 這種 ...
2010年06月22日 09:45   |  
5倍電量   MIT   鋰電池   納米碳管  

Cirrus Logic推出首批數字PFC產品,性價均超越模擬PFC

Cirrus Logic 公司宣布開發出一個全新的產品線,推出行業首批數字功率因數校正(PFC)控制器 IC,無論在性能還是價格上都超越了模擬 PFC 產品。相比傳統模擬 PFC 產品,CS1500 和 CS1600 為電源 ...
2010年06月11日 11:09   |  
PFC  

On Semi's China JV eyes $30M expansion Mark LaPedus EE Times

(06/01/2010 7:42 H EDT) LESHAN, China -- On Semiconductor Inc.’s joint IC-assembly and test venture in China outlined its roadmap and expansion plans amid growing but choppy deman ...
2010年06月04日 08:36   |  
expansion   eyes   mark   SEMI   Times  

2010上半年電源管理半導體出現短缺

據iSuppli公司,2010年上半年電源管理半導體銷售收入強勁上升,出乎供應商意料,可能導致近期價格上漲。 2010 年第一季度,電源管理半導體銷售收入達到69億美元,比2009年第四季度的67億美元 ...
2010年06月02日 09:32   |  
半導體   電源   管理  

自主手機無線充電技術能效達70%

手機充電,是手機用戶每日必做的“功課”,各式各樣的充電器,其接口不統一,很難兼容。原國家信息產業部曾經頒布標準,要求手機充電接口統一,以利于手機充電的方便使用,但時至今日,市場上仍 ...
2010年05月21日 10:14   |  
技術   能效   手機   無線   自主  

英飛凌推出高壓功率MOSFET新型8x8無管腳SMD封裝

英飛凌科技股份公司推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米),高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大 ...
2010年05月10日 10:58   |  
MOSFET   SMD   高壓   功率   英飛凌  

Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

Vishay推出首款采用PowerPAK 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET 功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中,該器件的導通電阻是最低的。 新款S ...
2010年05月05日 09:58   |  
MOSFET   TrenchFET   Vishay   功率  

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