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模擬電子技術新聞列表

東京大學開發出可承受150℃高溫滅菌處理的有機晶體管

以東京大學研究生院工學系研究科教授染谷隆夫和副教授關谷毅準為核心的研究小組在全球首次成功開發出了可承受高溫滅菌處理的柔性有機晶體管。設想用于體內植入型裝置及細徑導管等醫療器械用途。 ...
2012年03月13日 20:34   |  
晶體管  

ADI推出新版模擬器件設計工具ADIsimRF 1.6版 簡化RF設計

ADI推出其頗受歡迎的ADIsimRF設計工具的全新版本ADIsimRF 1.6版。ADI公司的ADIsimRF設計工具是ADI公司所有RF至數字功能模塊系列產品的配套軟件,通過該設計工具,工程師可以使用ADI公司的RF IC ...
2012年02月20日 17:10   |  
ADIsimRF   設計工具  

TI推出10 款高級信號調節器 可實現最高性能與最低功耗

簡單易用的中繼器/再定時器將 10 Gbps FR-4 信號范圍延伸超過 50 英寸,可降低企業服務器、路由器以及交換機的 BOM 成本 德州儀器 (TI) 宣布推出可推動 10G/40G/100G 以太網、10G-KR (802.3 ...
2012年02月07日 14:41   |  
信號調節   信號調理  
TI推出業界最快速度、最高性能模擬前端

TI推出業界最快速度、最高性能模擬前端

德州儀器 (TI) 針對蜂窩式基站與便攜式軟件定義無線電 (SDR)宣布推出業界最高速度與性能的模擬前端 (AFE)。該低功耗 12 位 AFE7225 集成雙通道 125 MSPS 模數轉換器 (ADC) 與雙通道 250 MSPS 數 ...
2012年02月02日 12:09   |  
AFE   模擬前端  
IDT推出業界首款針對4G基站多模式收發器的FlatNoise 雙中頻可變增益放大器

IDT推出業界首款針對4G基站多模式收發器的FlatNoise 雙中頻可變增益放大器

IDT 公司推出業界首款針對2G/3G/4G 無線基站多模式收發器的 FlatNoise 雙中頻(IF)可變增益放大器(VGA)。IDT 的器件針對最大增益提供業界最佳的噪聲系數(4dB),當增益降低時幾乎不會衰減, ...
2012年02月02日 12:06   |  
FlatNoise   可變增益   雙中頻  

Cirrus Logic推出業內最高電能測量精度的CS5484/80/90模擬前端

Cirrus Logic 公司今天宣布推出具有業內最高電能測量精度的CS5484/80/90模擬前端(AFE)IC產品系列,為單相和多相公用事業儀表以及智能能源產品的設計人員帶來成熟的電能計算、靈活性、性能和低 ...
2012年02月01日 16:14   |  
AFE   模擬前端  

凌力爾特收購Dust Networks拓展無線傳感器能力

2011 年 12 月 23 日– 全球領先的高性能模擬集成電路制造商凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 宣布,收購領先的低功率無線傳感器網絡 (WSN) 技術供應商 Dust Networks 公司。Dust ...
2011年12月26日 15:52   |  
傳感器  

模擬世界的變革才剛剛開始

半導體產業不斷發生翻天覆地的變化,長久以來相對穩定的類比晶片領域也不能自外于這股潮流。產品的整合需求和成本壓力,改變了類比市場的樣貌。 幾年前,我記得“高性能類比”(High Performa ...
2011年12月26日 15:41

IBM:全球首個不到10nm的碳納米晶體管

在今天的IEEE國際電子設備會議上,IBM的科學家們展示了一系列突破性的科研成果,將會大大推動更小、更快、更強處理器芯片的研發。      IBM表示,五十多年來,計算機處理器一直在以驚人 ...
2011年12月09日 16:09   |  
處理器   晶體管  

臺積電蔣尚義:5年內看不到3D邏輯IC

竹科2011高峰科技論壇今日熱鬧展開,臺積電(2330)資深研發副總蔣尚義也受邀演講,針對眾所矚目的3D IC何時可以正式開花結果,蔣尚義表示,3D IC在記憶體領域會發展較快,因為技術上較容易,但邏 ...
2011年12月02日 15:03   |  
3D   邏輯IC  

德州儀器在前2012年模擬IC仍有苦戰要打

雖然2011年景氣明顯開高走低,但臺系類比IC設計業者2011年營運表現低于市場平均值的成績單,反應在各家公司股價表現及本益比評價上頭,自是江河日下。雖然至今臺系類比IC供應商仍不承認德儀(TI) ...
2011年11月21日 15:40   |  
TI  

IBM和ARM正進行小功率SOI芯片研究

11月15日消息,據國外媒體報道,IBM、ARM同一批半導體生產商正在進行一項關于小功率SOI芯片組的研究計劃,打算將采用體硅制成的CMOS設計轉換成全耗盡型FD-SOI裝配。 由于受超薄氧化物層覆蓋 ...
2011年11月15日 15:36   |  
SOI  

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