安森美 EliteSiC SPM 31 智能功率模塊 (IPM) 有助于實(shí)現(xiàn)能效和性能領(lǐng)先行業(yè)的更緊湊變頻電機(jī)驅(qū)動(dòng)
安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半 ...
大聯(lián)大旗下友尚推出基于達(dá)爾科技（Diodes）AP3306、APR3401和AP43771H控制器的140W PD3.1 GaN充電器方案。
圖示1-大聯(lián)大友尚基于Diodes產(chǎn)品的140W PD3.1 GaN充電器方案的展示板圖
如今 ...
第五代標(biāo)志性開(kāi)關(guān)IC產(chǎn)品系列可在經(jīng)典反激式架構(gòu)中實(shí)現(xiàn)高達(dá)175W的輸出功率和92%的效率
Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今天宣布推出TinySwitch-5，將廣受歡迎的集成離線式開(kāi)關(guān)I ...
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）擴(kuò)展旗下XDP 數(shù)字保護(hù)產(chǎn)品系列，推出 XDP711-001。這是一款擁有 48 V 寬輸入電壓范圍的數(shù)字熱插拔控制器，具備可編程安全操作區(qū)域（SOA） ...
目前，許多工業(yè)應(yīng)用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展，實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法之一是提高直流母線電壓。針對(duì)這一市場(chǎng)趨勢(shì)，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公 ...
大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN INN650TA030C、INN650TA050C、INN100EQ016A以及INS1001DE芯片的2KW 48V雙向AC/DC儲(chǔ)能電源方案。
圖示1-大聯(lián)大詮鼎基 ...
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出新一代高密度功率模塊，該模塊將在實(shí)現(xiàn)AI和高性能計(jì)算方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。全新OptiMOS TDM2454xx四相功率模塊通過(guò)提升系統(tǒng)性能并結(jié) ...
~實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻和超寬SOA范圍~
ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級(jí)高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
新產(chǎn)品共3 ...
性能強(qiáng)大的芯片組采用緊湊、高效散熱的封裝，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)98%的效率
Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出新款HiperLCS-2芯片組，可實(shí)現(xiàn)輸出功率翻倍。新器件采用更高級(jí)的半 ...
大聯(lián)大旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）XMC1404 MCU、IMBG65R048M1H CoolSiC MOSFET、IPDQ60R010S7 CoolMos MOSFET以及2EDS9259X柵極驅(qū)動(dòng)IC的3.3KW雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案。
圖示1- ...
40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V，QC僅為56 nC
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出16款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的新型650 V和1200 ...
氮化鎵（GaN）技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止，GaN供應(yīng)商采用的封裝類型和尺寸各異，產(chǎn)品十分零散，客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個(gè)問(wèn)題，全球功 ...
