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這款節省空間的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W，并配有易于吸附焊錫的側翼，從而改善工業應用的熱性能和可焊性 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款采用無引線鍵合（BWL）封裝并具有業內先進導通電阻的新款80 V TrenchFET Gen IV N溝道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工業應用的效率。與相同尺寸的競品器件相比，Vishay Siliconix SiEH4800EW的導通電阻低15 %，而RthJC低18 %。 
日前發布的器件在10 V下的導通電子典型值為0.88 m，最大限度降低了傳導造成的功率損耗，從而提高了效率，同時以低至0.36 ℃/W的最大RthJC改善了熱性能。這款節省空間的器件體積為8 mm x 8 mm，與采用TO-263封裝的MOSFET相比，PCB面積減少50 %，而且其厚度僅為1 mm。 SiEH4800EW采用融合的焊盤，將源焊盤的可焊面積增加到3.35 mm2，比傳統PIN焊接面積大四倍。這降低了MOSFET和PCB之間的電流密度，從而降低了電遷移的風險，使設計更加可靠。此外，器件易于吸附焊錫的側翼增強了可焊性，同時更容易通過目視檢查焊點的可靠性。 這款MOSFET的常適合同步整流和Oring應用。典型應用包括電機驅動控制器、電動工具、焊接設備、等離子切割機、電池管理系統、機器人和3D打印機。在這些應用中，該器件可在+175 ℃的高溫下工作，而其BWL設計可將寄生電感降至最低，同時使電流能力最大化。 MOSFET符合RoHS標準，無鹵素，并且經過100 %的Rg和UIS測試。 對比表：D2PAK、PowerPAK 8x8L和 PowerPAK 8x8SW對比
同類最佳 (*) SiEH4800EW現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為13周。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
