TriQuint推出四款新放大器，采用創新封裝來簡化組裝

發布時間：2012-12-20 10:15 發布者：eechina

TriQuint半導體公司推出四款采用新封裝的砷化鎵(GaAs) pHEMT 射頻功率放大器模塊，提供高輸出功率、增益及效率，覆蓋頻率范圍為6-38 GHz。其中每款新放大器的封裝都更方便進行組裝，包括支持多層印刷電路板布局的設計。TriQuint新的放大器是用于點對點微波無線電和極小口徑終端 (VSAT) 等商業應用的理想選擇。

這四款新放大器包括：TGA2502-GSG（3.6W [CW]，13-16 GHz，適用于VSAT系統）；TGA2575-TS（3W [CW]，32-38 GHz，適用于通信系統）；TGA2704-SM（7W [CW]，9-11 GHz，適用于微波無線電）以及TGA2710-SM（7W [CW]，9.5-12 GHz，亦適用于微波無線電）。

TGA2575-TS是TriQuint的Die-on-Tab產品系列的最新成員，它令制造商更易于通過將半導體FET或MMIC放大器放在均熱器上來處置晶粒級器件和組裝元件。通過真空回流焊工藝建立晶粒和基礎之間的焊接。這些焊接幾乎無空隙且熱穩定性很高。 TGA2575-TS和所有die-on-tab產品都在工廠進行嚴格檢驗，來提供全面質量保證和更高的有效產率。

技術規格：新封裝砷化鎵pHEMT解決方案

TGA2502-GSG	13-16 GHz GaAs pHEMT射頻功率放大器：2.8W；20dB大信號增益；25dB小信號增益；效率為25%；在1.3A為7V；14引線法蘭貼裝封裝。
TGA2575-TS	32-38 GHz GaAs pHEMT射頻功率放大器：3W；19dB小信號增益；功率附加效率為22%；在2.1A為6V。TGA2575晶粒貼裝在一個8.92x5.31mm的均熱器上。
TGA2704-SM	9-11 GHz GaAs pHEMT射頻功率放大器：7W；19dB大信號增益；22dB 小信號增益；功率附加效率為40%；在1.05A為9V；7x7x1.27mm無鉛表面貼裝封裝。
TGA2710-SM	9.5-12 GHz GaAs pHEMT射頻功率放大器：7W；19dB大信號增益；20dB小信號增益；功率附加效率為36%；在1.05A為9V；7x7x1.27mm無鉛表面貼裝封裝。

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