據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電宣布將跳過(guò)22納米,直接發(fā)展20納米制程。臺(tái)積電表示,這是基于“為客戶(hù)創(chuàng)造價(jià)值”而作的決定,提供客戶(hù)一個(gè)更可行的先進(jìn)制程選擇,預(yù)計(jì)于2012下半年導(dǎo)入生產(chǎn)。 臺(tái)積電在加州圣荷西市舉行的技術(shù)研討會(huì),有1500位客戶(hù)及合作廠商代表參與。臺(tái)積電研發(fā)資深副總蔣尚義在會(huì)中表示,臺(tái)積電20納米制程將比22納米制程擁有更優(yōu)異的閘密度,以及芯片效能/成本比,為先進(jìn)技術(shù)芯片的設(shè)計(jì)人員提供了一個(gè)可靠、更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的制程平臺(tái)。 蔣尚義同時(shí)指出,20納米制程預(yù)計(jì)于2012年下半開(kāi)始導(dǎo)入生產(chǎn)。 臺(tái)積電指出,其20納米制程,系在平面晶體管結(jié)構(gòu)制程的基礎(chǔ)上,采用強(qiáng)化的高介電值/金屬閘、創(chuàng)新的應(yīng)變硅晶與低電阻/超低介電值銅導(dǎo)線等技術(shù)。同時(shí),在其它晶體管結(jié)構(gòu)制程方面,例如鰭式場(chǎng)效晶體管及高遷移率組件,也展現(xiàn)了刷新記錄的可行性指針結(jié)果。 從技術(shù)層面來(lái)看,由于具備了創(chuàng)新微影技術(shù),以及必要的布局設(shè)計(jì)能力,臺(tái)積電因此決定直接導(dǎo)入20納米制程。 此外,蔣尚義指出,先進(jìn)制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)已面臨關(guān)鍵時(shí)刻,必須主動(dòng)積極地考慮其投資報(bào)酬率,并且需要跳脫單單考慮技術(shù)層面的思維模式;必須透過(guò)與客戶(hù)密切合作,以及在資源整合與最佳化方面的創(chuàng)新,同時(shí)解決來(lái)自技術(shù)及經(jīng)濟(jì)層面的挑戰(zhàn)。 |