ZT: 華虹NEC兩項新技術榮獲創新產品和技術獎

步從容

2010/4/15/10:19來源：電子工程專輯

    2010年中國半導體市場年會于2010年3月9日至10日在上海召開。大會公布了由中國半導體行業協會、中國電子材料行業協會、中國電子專用設備
工業協會、中國電子報等單位共同評選出的“第四屆（2009年度）中國半導體創新產品和技術”獲獎結果，上海華虹NEC電子有限公司（以下簡稱“華虹NEC”）的“0.13微米SONOS嵌入式存儲器工藝技術”和“芯片超級同測技術（SCT）”兩個項目分獲殊榮。

華虹NEC的0.13微米SONOS嵌入式存儲器工藝技術具有低動態電流，極低靜態電流，存儲單元小，容量可配置，讀出速度快等優良性能。達到業內領先的可靠性擦寫壽命和數據保持時間。目前該技術平臺擁有各種容量的嵌入式閃存IP，齊全的模擬IP，高速靜態隨機存儲器和低功耗設計庫，高性能的IO單元以及完善的產品和測試方案，可廣泛應用于智能卡、MCU/SOC以及USBKey等產品。

華虹NEC成功地研發出世界領先的芯片同測數最高可達512的“超級同測技術(SCT，SuperConcurrentTesting)”。此技術的研發成功，有效地降低了晶圓測試成本，提升了測試效率和產品的競爭力，實現了最高可達較原有技術平臺的八倍測試效率，并可支持芯片高集成的晶圓測試，成為當今世界領先的測試技術平臺。此測試平臺現已成功應用，作為華虹NEC制造服務的拓展。此創新技術為國內主要集成電路設計公司的自主產品（智能卡、USBKey、可編程MCU等）提供了最優化的測試方案。

華虹NEC總裁兼首席執行官邱慈云博士表示，“我們十分榮幸在中國半導體創新產品和技術評選中榮獲兩個獎項，這是華虹NEC持續創新的結果。華虹NEC一直保持著嵌入式非揮發性存儲器技術領域的業界領先地位，也是中國智能卡與SIM卡芯片的最主要的制造商。本次獲獎的兩個項目正是華虹NEC過去幾年來在嵌入式非揮發性存儲器領域的最新成果，為下一代智能卡芯片提供了極具競爭力的全套工藝、設計支持與量產測試解決方案。”