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Vishay公司2013年“Super 12”明星產(chǎn)品

發(fā)布時間:2013-3-7 10:05    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: Super 12 , 無源器件
Vishay宣布其2013年“Super 12”特色產(chǎn)品。Vishay的Super 12精選產(chǎn)品展示了該公司在半導體和無源器件方面的領(lǐng)先優(yōu)勢,為設(shè)計工程師提供接觸業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的性能規(guī)格的捷徑,以及從中管窺Vishay非常廣泛的產(chǎn)品組合。

2013年的Super 12產(chǎn)品是:

VCNL3020全集成接近傳感器 — 將一個紅外發(fā)射器、光電二極管、信號處理IC和16位ADC組合進小尺寸表面貼裝封裝里。傳感器支持易用的I2C總線通信接口,具有中斷功能。

WSBM8518 Power Metal Strip 電池電流采樣電阻
— 采用帶有4pin內(nèi)插連接器的模塑外殼,易于實現(xiàn)從分流電阻到PCB板的連接。器件具有100µΩ的極低阻值,可提高汽車和工業(yè)應用中電池管理的精度。

170 V TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器 — 這些整流器適用于通信電源,具有10A~80A的電流等級和0.65V的極低正向壓降,采用TO-220AB、TO-263AB和TO-3PW功率封裝。

MCW 0406 AT專業(yè)和精密系列寬端頭薄膜片式電阻
— 器件通過AEC-Q200認證,兼具高達300mW的功率等級和非常高的精密度,包括±0.1%的公差、±25ppm/K的TCR和低至1Ω的歐姆值,可用于汽車和工業(yè)電子產(chǎn)品。

TrenchFET Gen IV功率MOSFET — 使用新型高密度設(shè)計,在10V和4.5V下具有1.0mΩ和1.35mΩ的超低導通電阻,小于0.5的極低Qgd/Qgs比,采用PowerPAK® SO-8、PowerPAK 1212-8和PowerPAIR®封裝。

IHLP-6767GZ-5A IHLP 低高度、大電流電感器 — Vishay的最大IHLP功率電感器。這款器件可在+155℃下連續(xù)工作,1.0μH電感的電流最高可達53A,可用于汽車應用。

eSMP SlimSMA 和SMPD封裝
— 非常適合消費、計算機、工業(yè)、通信和汽車應用,SlimSMA DO-221AC封裝的整流器和瞬態(tài)電壓抑制器具有0.95mm的超低高度,SMPD封裝器件的典型高度為1.7mm。

LPS 1100功率厚膜電阻
— 對于風電機組和剎車系統(tǒng),器件是首款采用小尺寸57mm x 60mm封裝的功率厚膜電阻,在+25℃下的功率等級達1100W。

E系列高壓MOSFET
-- 600V和650V MOSFET采用Vishay的下一代超級結(jié)技術(shù),特定導通電阻低30%,改進了柵極電荷,采用TO-220 FullPAK、TO-247AC/AD、D2PAK、DPAK、IPAK和PowerPAK 8x8封裝。

T16液鉭電容 — T16器件采用鉭材料和玻璃到鉭膜的密封,提高了性能,在+ 85℃下的反向電壓為1.5V,采用高可靠性設(shè)計。

SiP32458/SiP32459由轉(zhuǎn)換速率控制的負載開關(guān)
— 這款高邊負載開關(guān)采用小型1mm x 1.5mm WCSP封裝,工作電壓為1.5V~5.5V,在3V~5.5V范圍導通電阻穩(wěn)定在20mΩ。

VJ HIFREQ系列表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)
— 器件采用0402、0603和0805外形尺寸,Q值大于2000,耗散因數(shù)小于0.05 %。

有關(guān)Vishay的Super 12的更多信息,請訪問http://www.vishay.com/landingpage/super12/2013/


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