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集成解決方案將 MOSFET 和二極管置于一個封裝內，簡化了電路板裝配并節省了空間 飛兆半導體公司通過引入 100 V BoostPak 設備系列優化 MOSFET 和二極管選擇過程，將 MOSFET 和二極管集成在一個封裝內，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉換器應用中目前使用的分立式解決方案。 通過將 MOSFET 和二極管集成到一個獨立封裝內，FDD1600N10ALZD和FDD850N10LD設備節省了電路板空間，簡化了裝配，降低了材料清單成本并改進了應用的可靠性。 
該元件的N溝道MOSFET采用飛兆半導體 PowerTrench工藝生產，這一先進工藝專用于最小化導通電阻，同時保持卓越的開關性能。 NP二極管為超快速整流器，帶低正向導通壓降，具有出色的開關性能。 與肖特基二極管相比，其泄漏電流更低，改進了高溫應用中的系統可靠性。 主要功能： FDD1600N10ALZD: • RDS(ON) = 124 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 3.4 A • RDS(ON) = 175 mΩ（典型值）@ VGS = 5 V，ID = 2.1 A • 低柵極電荷 = 2.78 nC（典型值） • 低反向電容 (Crss) = 2.04 pF（典型值） FDD850N10LD: • RDS(ON) = 61 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 12 A • RDS(ON) = 64 mΩ（典型值）@ VGS = 5.0 V，ID = 12 A • 低柵極電荷 = 22.2 nC（典型值） • 低反向電容 (Crss) = 42 pF（典型值） 都有： • 快速開關 • 100%經過雪崩測試 • 可提高dv/dt處理能力 • 符合 RoHS 標準 報價:（訂購 1,000 個） FDD1600N10ALZD的價格為0.49美元。 FDD850N10LD的價格為0.57美元 可供貨期: 按請求提供樣品。 交貨期: 收到訂單后 8-12 周內 若要取得產品PDF格式的數據頁，請訪問網頁： http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDD1600N10ALZD.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDD850N10LD.pdf 查詢更多信息，請聯絡飛兆半導體香港辦事處，電話：852-2722-8338；深圳辦事處，電話：0755-8246-3088；上海辦事處，電話：021-3250-7688；北京辦事處，電話：010-6408-8088 或訪問公司網站：http://www.fairchildsemi.com/cn/。 |
