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意法半導體不斷擴大高可靠性產(chǎn)品陣容，新LVDS接口芯片擁有優(yōu)異的抗輻射性能和電氣特性 意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）進一步擴大抗輻射產(chǎn)品組合，新推出一系列通過美國 300krad QML-V認證 的LVDS 驅動器、接收器和多工器（multiplexers）。 
意法半導體最新的抗輻射器件的性能優(yōu)于競爭品牌的解決方案，融合經(jīng)過市場檢驗的130納米制造技術與專用芯片架構及布局規(guī)則，取得了優(yōu)異的抗輻射性能和電氣特性。該開發(fā)項目得到了法國國家太空研究中心(CNES，Centre National d'Etudes Spatiales)和歐洲航天局(ESA，European Space Agency)的資金技術支持，將用于商用和政府衛(wèi)星項目。意法半導體的新產(chǎn)品還通過了QML-V認證，全球航天局和承包商可在航天項目中使用該系列產(chǎn)品。 法國國家太空研究中心環(huán)境與元器件部主管Jean-Louis Venturin表示：“這些高性能元器件是意法半導體、歐洲航天局和法國國家太空研究中心多年合作研發(fā)抗輻射航天元器件的豐碩成果之一，我們迫切希望這些產(chǎn)品進入歐洲元器件優(yōu)選目錄。” 意法半導體航天與高可靠性事業(yè)部經(jīng)理Jean-Francois Vadrot表示： “我們的新LVDS器件配備整套的輻射測試報告和宏模型，包括生命周期終止和輻射終止，為全球航天市場提供最好的解決方案，同時進一步加強了我們的航天產(chǎn)品組合。” 意法半導體擁有35年的支持全世界政府和商用航天項目的經(jīng)驗，其已安裝的元器件創(chuàng)下了數(shù)百萬個小時的成功飛行記錄。意法半導體正在擴大航天應用和高可靠性認證產(chǎn)品的陣容，包括雙極晶體管和MOSFET、電壓基準芯片、柵驅動器、線性IC和功率轉換器。意法半導體在130納米、65納米等節(jié)點擁有成熟的制造技術和設計能力，還擁有世界唯一的同時通過歐洲航天局(ESA)和國防后勤局(DLA，Defense Logistics Agency)認證的生產(chǎn)設施。 LVDS系列技術說明 新系列包括RHFLVDS31A和RHFLVDS32A驅動器/接收器芯片、RHFLVDSR2D2(LVDS雙接口收發(fā)器)和 RHFLVDS228A交叉點開關。在重離子和電離總劑量很大的輻照測試中，所有器件都有極強的穩(wěn)健性表現(xiàn)，LVDS31A/32A在高達135 MeV.cm²/mg時未見單一事件閉鎖效應，并取得業(yè)內最高的單一事件瞬變抵抗能力。在電離總劑量高達300krad(MIL-STD-883 TM1019)時，該系列產(chǎn)品的動靜態(tài)特性無太大變化。 此外，該系列產(chǎn)品輸入共模電壓范圍寬達-4V到 +5V，包括連接電壓較低的電源的情況，例如3.3V。寬壓可提高系統(tǒng)地電位公差，簡化接地設計。 與市面上同類器件相比，意法半導體的新LVDS器件縮短了傳播時間和通道間延遲差，因此通道間同步更快，芯片功耗更低，可支持更高的數(shù)據(jù)傳輸速率。此外，電源電壓的最大絕對額定值(AMR)高達4.8V，確保器件符合太空局元器件降額設計規(guī)則，無需任何免責聲明。LVDS I/O引腳提供8kV (HBM) ESD保護功能，所有引腳都有冷備用緩沖器和失效保護功能。 如需了解更多詳情，請瀏覽 www.st.com/radhard-lvds-pr |
